NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)進入當下，即非易失性隨機(jī)訪問存儲器 ,是指斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)的一種RAM。NVRAM的數(shù)據(jù)訪問速度介于易失性存儲器和常規(guī)硬盤之間大幅增加。和易失性存儲器相比，非易失性存儲器一經(jīng)寫入數(shù)據(jù)，就不需要外界電力來維持其記憶要素配置改革。NVRAM主要有兩種集成技術，分別是多層式存儲（MLC, Multi Level Cell）及單層式存儲（SLC, Single Level Cell）規則製定。兩者讀取速度差異不大流程，使用MLC顆粒的固態(tài)硬盤成本較使用SLC的低合作，但是寫入速度較低、使用壽命也較短助力各業。閃存是最常見的非易失性存儲器極致用戶體驗。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動存儲設(shè)備，亦即人們常說的“閃存盤”應用、“優(yōu)盤”建議。隨著生產(chǎn)成本的下降，將多個大容量閃存模塊集成在一起相貫通，制成以閃存為存儲介質(zhì)的固態(tài)硬盤已成為可能不斷發展。
隨著移動設(shè)備、便攜式設(shè)備和無線設(shè)備的迅猛發(fā)展自動化方案，NVRAM也遇到了前所未有的好時機(jī)緊密協作，并迅速走俏市場。日前線上線下，在多種NVRAM中發揮重要作用，以閃存（Flash Memory）技術(shù)最為引人注目，并占據(jù)著NVRAM市場的霸主地位數據顯示。盡管現(xiàn)在不同于閃存技術(shù)的其他NVRAM技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)高質量，并逐漸被一些廠商重視并看好，但在近幾年內(nèi)記得牢，閃存仍將以其強(qiáng)大的優(yōu)勢稱霸NVRAM應(yīng)用市場註入了新的力量。移動市場和無線市場的強(qiáng)大需求為NVRAM帶來了市場機(jī)會，同時也對NVRAM提出了更高的要求服務好，更快的速度新趨勢、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗