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SDRAM

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)的簡稱,SDRAM采用3.3v工作電壓足夠的實力,帶寬64位互動講,SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起有效保障,使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期最新,以相同的速度同步工作,與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50%先進水平。SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)前來體驗,內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列,當(dāng)CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時不斷創新,另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備建立和完善,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高參與水平。SDRAM不僅可用作主存大型,在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。
SDRAM之所以成為DRAM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新(Refresh)才能保留住數(shù)據(jù)明確相關要求,因?yàn)樗⑿拢≧efresh)是DRAM最重要的操作重要意義。那么要隔多長時間重復(fù)一次刷新,目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是深化涉外,存儲體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms(毫秒體系,1/1000秒),也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms開展試點。這樣刷新速度就是:64ms/行數(shù)量攜手共進。我們在看內(nèi)存規(guī)格時,經(jīng)常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標(biāo)識推進一步,這里的4096與8192就代表這個芯片中每個Bank的行數(shù)大部分。刷新命令一次對一行有效,發(fā)送間隔也是隨總行數(shù)而變化實際需求,4096行時為15.625μs(微秒解決方案,1/1000毫秒),8192行時就為7.8125μs善謀新篇。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms增產。
SDRAM是多Bank結(jié)構(gòu),例如在一個具有兩個Bank的SDRAM的模組中方法,其中一個Bank在進(jìn)行預(yù)充電期間行動力,另一個Bank卻馬上可以被讀取,這樣當(dāng)進(jìn)行一次讀取后切實把製度,又馬上去讀取已經(jīng)預(yù)充電Bank的數(shù)據(jù)時保供,就無需等待而是可以直接讀取了,這也就大大提高了存儲器的訪問速度。

SDRAM品牌類目

Type  SDR SDRAM DDR1 SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM  DDR4 SDRAM
 Density   16Mbit—512Mbit 64Mbit—1Gbit 256Mbit—2Gbit 1Gbit—8Gbit 8Gbit
Brand Chiplus Etron UniIC Etron UniIC Etron JSC UniIC          3256Mx32                       DDR4    
SDRAM_CHIPLUS SDRAM_ETRON SDRAM_UNILC SDRAM_ETRON SDRAM_UNILC SDRAM_ETRON SDRAM_JSC SDRAM_UNILC

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