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LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新、自動 TCSR(溫度補(bǔ)償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期越來越重要的位置、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強(qiáng)度的模式效率、DPD 深度掉電)模式等形式。
JSC在物聯(lián)網(wǎng)市場擁有強(qiáng)大的全球競爭力競爭力,專注于存儲半導(dǎo)體的整體解決方案提升。
JSC 邁向成功的第一步始于 2000 年專注于移動內(nèi)存的開發(fā)——這使得 JSC 的技術(shù)能力獲得了無數(shù)全球知名移動公司的認(rèn)可大大縮短。LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新相關、自動 TCSR(溫度補(bǔ)償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期模樣、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強(qiáng)度的模式生產體系、DPD 深度掉電)模式等。
Part Number Density Data width Voltage Max Frequency Package Type Status PDF下載
JS812164PAY-60 512Mb x16 1.7~1.95V 200Mhz 60B(8x9mm) T.B.D 暫無
JS812324PAJ-60 512Mb x32 1.7~1.95V 200Mhz 90B(8x13mm) M/P 暫無
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