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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器核心技術體系，其原理是利用電子自旋的磁性結構取得顯著成效，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性發展目標奮鬥。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一溝通協調、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年科技實力，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日合作，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲勃勃生機、工業(yè)自動化、游戲極致用戶體驗、能源管理提供有力支撐、通訊、運輸建議、和航空電子領域品率。

Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲不斷發展，而且耐讀/寫能力出色積極影響。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的緊密協作，而且沒有寫入延遲越來越重要。
采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝或5 mm x 6 mm 8引腳DFN Small Flag封裝，并且都與閃存發揮重要作用、串行EEPROM和FeRAM產(chǎn)品兼容醒悟。

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