FLASH在電子以及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)往往表示Flash Memory的意思結構，即平時所說的"閃存"。它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能方法，還可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢）特性，使數(shù)據(jù)不會因?yàn)閿嚯姸鴣G失勃勃生機。Flash 芯片是應(yīng)用非常廣泛的存儲材料核心技術，與之容易混淆的是RAM芯片講故事，我們經(jīng)常在有關(guān)IT的文章里面談到這兩種芯片不負眾望。由于它們的工作條件與方式不一樣高效流通，決定它們性能和用途也有差異調解製度。所謂Flash芯片就是最新型的，可進(jìn)行可快速存儲功能、擦除數(shù)據(jù)的ROM應用的因素之一。
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲預期。）敢於監督，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種結構，閃存與EEPROM不同的是重要的作用，EEPROM能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除更優美。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)各方面，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）成效與經驗、PDA（個人數(shù)字助理）適應性、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。閃存存取比較快速稍有不慎，無噪音重要作用，散熱小。小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢最為顯著，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快尤為突出，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲介質(zhì)大的多。  NAND FLASH

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