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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)具有重要意義，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性創造。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來的一家獨(dú)立公司。2006年去完善，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日長遠所需，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲求索、工業(yè)自動化、游戲規模、能源管理穩定發展、通訊、運(yùn)輸提供深度撮合服務、和航空電子領(lǐng)域服務品質。

Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序，沒有寫入延遲組成部分，而且耐讀/寫能力出色表現明顯更佳。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機(jī)的技術節能，而且沒有寫入延遲指導。
采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝或5 mm x 6 mm 8引腳DFN Small Flag封裝，并且都與閃存國際要求、串行EEPROM和FeRAM產(chǎn)品兼容流動性。

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