內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)的快速效率、閃存的高密度以及如同只讀存儲器(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性內(nèi)存嫿?，F(xiàn)在創新科技，通過磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)，有希望可以解決開發(fā)這種“萬能”內(nèi)存(可取代各種內(nèi)存)的問題共創輝煌。
      但是具有重要意義，為了讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的優(yōu)化步驟精準調控，好像還得再等三年之久」δ?，F(xiàn)在，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technology解決；TU/e)的研究人員聲稱發(fā)現(xiàn)了一種可以讓MRAM克服速度快、密度與成本問題的全新制造方法敢於監督，命名為“自旋霍爾效應(yīng)與交換偏置反轉(zhuǎn)零磁場磁化”(field-free magnetization reversal by spin-Hall effect and exchange bias)幅度，或簡稱“彎曲電流”(current bending)。
      以低電流脈沖彎曲電子重要的作用，可快速切換磁位貢獻，從而實現(xiàn)正確的自旋；同時穩中求進，特殊的抗鐵磁材料更降低了制造成本統籌。 “隨著磁位的尺寸縮小，寫入磁位所需的電流密度已經(jīng)變得過高了協同控製，”研究人員表示振奮起來，“藉由垂直連接磁化層與抗鐵磁材料，可望打造出一種沿電流方向的平面交換偏置(EB)利用好；我們證實了只需利用由此EB導(dǎo)致的原生平面磁場深入各系統，可實現(xiàn)一種自旋霍爾效應(yīng)驅(qū)動的磁化反轉(zhuǎn)。”簡這之系列，就是所謂的“彎曲”電流作用，似乎就能解決非揮發(fā)性MRAM的速度的有效手段、密度與成本問題。
如果你十分熟悉MRAM方案，那么你應(yīng)該知道他們在電子向上或向下自旋時儲存0與1關鍵技術，而不是經(jīng)由電流差擾穿隧阻障層來累積或耗散電荷，因而得以“自旋霍爾效應(yīng)”在本質(zhì)上實現(xiàn)優(yōu)化的節(jié)能效果深入。不過表現，這仍然需要以電子鐵磁材料執(zhí)行自旋編碼，才能翻轉(zhuǎn)磁位深刻變革。因此結論，Swagten的研究團隊使用微量的電流脈沖，翻轉(zhuǎn)每一磁位使其自旋——即“彎曲電流”質生產力，使其不僅更具能效適應性強，還能夠像摩爾定律(Moore's Law)般地擴展。
       研究人員用于為MRAM表征快速先進的解決方案、高密度與低成本特性的實驗芯片（來源：Arno van den Brink）根據(jù)研究團隊表示拓展，這項技術(shù)本身也十分快速，但仍然必須在成本方面實現(xiàn)優(yōu)化宣講活動。研究人員們宣稱不斷進步，在位單元頂部采用低成本的抗鐵磁料封蓋，有效地“凍結(jié)”其磁場效率，可望解決最后一項問題規模，達到快速、高密度與低成本的目標(biāo)講道理。