FRAM是一種鐵電存儲器高質量發展，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)問題，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存設計。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)密度增加。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫引領，高讀寫耐久性，低功耗，防竄改等方面具有優(yōu)勢。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn)增多，具有高速寫數(shù)據(jù)，低功耗新格局，高速讀/寫周期等優(yōu)點(diǎn)明顯。
 
富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作顯示，工作電壓可低至1.7V至1.95V創新為先，并設(shè)有串行外設(shè)接口(SPI)。這種全新的FRAM產(chǎn)品是汽車電子控制單元的最佳選擇科普活動，它能滿足汽車市場對諸如ADAS這樣的低功耗電子器件的高端需求創新延展。
   
   
FRAM的讀/寫耐久性、寫速度和功耗都比EEPROM和FRAM好長期間，我們的FRAM被那些不滿足傳統(tǒng)非易失性存儲器性能的用戶所接受基本情況。
 
富士通不斷推出64Kbit~2Mbit汽車級FRAM產(chǎn)品，工作電壓3.3V或5V綠色化發展。但是高端汽車電控單元的推出至關重要，使一些用戶開始要求FRAM電壓不超過1.8V不久前。這款全新的FRAM是富士通公司為滿足這個(gè)市場需求而推出的用上了。
 
在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，MB85RS2MLY的讀/寫次數(shù)可達(dá)10MB能力建設，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用關註，如連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數(shù)據(jù)，寫入次數(shù)將超過30億無障礙。本產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100Grade1標(biāo)準(zhǔn)連日來，并通過了汽車級產(chǎn)品認(rèn)證。所以就數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性而言認為，富士通電子最近推出的鐵電存儲器FRAM完全支持ADAS等應(yīng)用系統，需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄。

該FRAM產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝重要意義，可以很容易地替代現(xiàn)有的EEPROM交流等，類似于管腳更加廣闊。提供8-pinDFN(無引線雙面平面)封裝，外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm提高。

   
關(guān)鍵規(guī)格
• 組件型號：MB85RS2MLY
 
• 容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）
 
• 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
 
• 運(yùn)作頻率：最高50 MHz
 
• 運(yùn)作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特
 
• 運(yùn)作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度
 
• 讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)
 
• 封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN
 
• 認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)：符合AEC-Q100 Grade 1


本文關(guān)鍵詞： FRAM

相關(guān)文章：FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商可以使用，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM紮實、pSRAM效高化、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案等地。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI最為顯著、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)規定、Everspin 穩定、IPSILOG、LYONTEK供給、ISSI優勢與挑戰、CYPRESS、ISOCOME解決方案、PARAGON趨勢、SINOCHIP、UNIIC上高質量； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM一站式服務、ETRON、FUJITSU深入交流、LYONTEK引領作用、WILLSEMI。