VTI706464Mbit串行SRAM重要手段，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件相關。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口充分。設(shè)備本身會(huì)執(zhí)行所有必要的刷新操作。
 
VTI7064特征
-SPI總線接口：
兼容SPI
兼容SQI
所有模式的時(shí)鐘頻率均為20MHz
低功耗CMOS技術(shù)：
讀取電流：25mA
待機(jī)電流：典型值150uA
-無限的讀寫周期
-8Mx8位組織和1KB頁面大小
-高可靠性
-符合RoHS
-8引腳SOIC封裝
-支持的溫度范圍：
擴(kuò)展（E）：-25°C至+85°C
工業(yè)（I）：-40°C至+85°C
 
引腳說明

 
 
接口說明
1效果、地址空間
所有設(shè)備都是字節(jié)可尋址的形式。64M設(shè)備用A[22：0]尋址競爭力所在。

2系統、頁長(zhǎng)
讀和寫操作始終是線性地址空間。只要滿足tCEM（max空白區。）協調機製，線性連發(fā)就可以跨越頁面邊界。

3形勢、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
器件以50Ω上電實踐者。

4、開機(jī)狀態(tài)
器件在SPI模式下上電選擇適用。開始任何操作之前管理，必須將CE＃設(shè)置為高。

5業務指導、命令/地址鎖存真相
設(shè)備可以識(shí)別各種輸入法指定的以下命令

 
備注：S=串行I/O改進措施，Q=四通道I/O。
133（104）表示[email protected]和[email protected]長足發展。
*84Mhz是允許跨頁面邊界訪問的最大工作時(shí)鐘頻率今年。
 
6命令終止
所有所有讀和寫都必須由CE＃從低到高完成。CK＃的上升沿是終止已激活的讀/寫字線并將設(shè)備設(shè)置為待機(jī)狀態(tài)的觸發(fā)器結構不合理，否則將阻止內(nèi)部刷新操作動手能力，直到設(shè)備看到讀/寫字線已終止，無需執(zhí)行命令終止操作僅適用于讀取和寫入操作以及任何命令操作意見征詢，例如Enter Quad模式命令和Reset命令提升。
   
關(guān)于VTI
Vilsion技術(shù)公司。是設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售用于汽車的必然要求、通信研究成果、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)應用擴展，醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)的高性能集成電路的翹楚體驗區。主要產(chǎn)品是高速SRAM，Seiral SRAM和 低功耗SRAM活動上。其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性以及完整性有望，低延遲和安全性至關(guān)重要。VTI代理英尚微電子支持提供驅(qū)動(dòng)導向作用、例程以及必要的FAE支持方案。

VTI7064型號(hào)表

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package	Packing	Status	規(guī)格書下載
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	暫無
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube十大行動，T&R	MP	暫無
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube即將展開，T&R	MP	暫無
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	暫無

 

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本文關(guān)鍵詞：VTI7064  

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