FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM智慧與合力，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲更高效，其的特點(diǎn)是速度快方式之一，能夠像RAM一樣操作技術交流，讀寫功耗極低選擇適用，不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問題更合理；但受鐵電晶體特性制約穩定性，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制振奮起來。FRAM在耐久性核心技術、讀寫速度應用提升、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH主動性。
 
FRAM性能比EEPROM好的的三個優(yōu)勢：
 
1、壽命發展的關鍵，讀寫的次數(shù)比較多道路， EEPROM和flash都達(dá)不到EEFROM的讀寫次數(shù)；
 
2真諦所在、功耗指導，同樣寫入64byte的數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100倍增效應，這樣功耗越低規則製定，電池的使用壽命就越長；
 
3優化服務策略、讀寫速度關規定，F(xiàn)RAM的寫入速度可以達(dá)到納米秒，寫入一個數(shù)據(jù)的時間僅僅是EEPROM的1/3000兩個角度入手。這么快的讀寫速度帶來的另一個意想不到的好處就是瞬間斷電的時候建強保護，F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)已經(jīng)寫入，而EEPROM肯定數(shù)據(jù)丟失生產效率。
 
跟FRAM比EEFROM簡直就是戰(zhàn)五渣笆姑熑?。】墒菫槭裁从肍RAM的客戶還是少數(shù)呢使用？這就要談到價格問題了合規意識。并不是技術(shù)好的產(chǎn)品就會流行，消費(fèi)者更看重性價比有效性。FRAM的Logic部分比重太大創新內容，成本難以降低是一個難點(diǎn)。相比EEPROM廣泛關註，F(xiàn)RAM的存儲容量實在是有一點(diǎn)捉急善於監督。在工藝上，F(xiàn)RAM也很難突破100nm就能壓製，因此大數(shù)據(jù)的存儲還是更適合留給FLASH或者EEFROM更合理，畢竟兩者分工不同。
 
那么什么樣的應(yīng)用更適合FRAM而非EEFROM呢更優美？如果對存儲容量沒有太高要求實際需求，而又需要頻繁的記錄重要數(shù)據(jù)，又不希望數(shù)據(jù)在斷電中無法保護(hù)預期，這種應(yīng)用比較適合FRAM敢於監督。比如汽車中用到的黑匣子，主要記錄剎車信息以及事故前幾秒的情況結構。“在日本重要的作用、在歐洲、在韓國如果你把發(fā)動機(jī)關(guān)了規模最大，或者意外事故掉地上了穩中求進，當(dāng)前的模式、當(dāng)前的狀態(tài)一定記下來最深厚的底氣，比如說進(jìn)入隧道的時候協同控製，進(jìn)入隧道那個通信沒了，會先記錄下來品質。

富士通FRAM憑借高讀寫耐久性利用好、高速寫入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風(fēng)生水起解決問題，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲系列，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持相互配合。

 
本文關(guān)鍵詞： FRAM  富士通

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