在過去的幾十年中，SRAM領域已劃分為兩個不同的產(chǎn)品系列,快速和低功耗導向作用，每個產(chǎn)品都有自己的功能配套設備，應用程序和價格結構重塑。使用SRAM的設備需要它的高速性或低功耗性，但不能同時兼顧兩者持續向好。但是人們越來越需要具有低功耗的高性能設備，以便在依靠便攜式電源運行時執(zhí)行復雜的操作。這種需求由新一代醫(yī)療設備和手持設備過程中，消費電子產(chǎn)品和通信系統(tǒng)及工業(yè)控制器推動，而這些都由物聯(lián)網(wǎng)驅動能運用。
 
下面介紹一款可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI的國產(chǎn)SRAM芯片EMI501HB08PM45I達到。
 
EMI501HB08PM45I描述
EMI501HB08PM45I異步低功耗SRAM由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。位寬128k x 8bit不可缺少，支持工業(yè)溫度范圍智慧與合力，工作輸出電壓為4.5V?5.5V，以實現(xiàn)系統(tǒng)的靈活性設計重要的角色。還支持低數(shù)據(jù)保留電流的電池備份操作的低數(shù)據(jù)保留電壓開放要求。
 
EMI501HB08PM45I特征
•工藝技術：90nm全CMOS
•組織：128k x 8bit
•電源電壓：4.5V?5.5V
•三種狀態(tài)輸出和TTL兼容
•標準32SOP.
•工業(yè)運行溫度。
 
低功耗SRAM存儲器平臺建設，應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品服務機製，作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別，SRAM作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器大幅拓展。隨著集成電路制造工藝的不斷提升去創新，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要緊迫性。


本文關鍵詞：異步低功耗SRAM

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