ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲芯片互動互補。還設計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。主要是應用在汽車、通信探索創新、數(shù)字消費以及工業(yè)和醫(yī)療市場的設計達到、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者明確相關要求。
 
ISSI型號IS62WV1288DALL是1M高速SRAM存儲芯片技術，位寬128X8基礎。使用ISSI的高性能CMOS技術制造的數字技術。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結(jié)合奮戰不懈，產(chǎn)生了高性能和低功耗的器件。通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴展措施。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取大大縮短。IS62WV1288DALL采用封裝在JEDEC標準32-pinTSOP（TYPEI）、sTSOP（TYPEI）緊密相關、SOP和36-pinminiBGA中更默契了。ISSI代理英尚微電子支持供樣及相關技術。
 
IS62WV1288DALL特征
•高速存取時間：55ns
•CMOS低功耗操作：
12mW（典型）運行
4µW（典型）CMOS待機
•TTL兼容接口電平
•單電源：
1.65V--2.2VVDD(62WV1288DALL)
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
 
低功耗SRAM通常在45ns和更慢的速度范圍內(nèi)運行培訓。這些SRAM通常設計為消耗非常低的功率不合理波動，并且用于主要關注功率的應用中。它們通常用于臨時數(shù)據(jù)存儲和便箋簿應用程序重要工具。


本文關鍵詞：低功耗SRAM,IS62WV1288DALL

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