該芯片使用增強型51內核，工作頻率高達64兆赫茲利用好，內置16K Bytes FLASH主動性，1K Bytes SRAM創造性，3個定時器，1個看門狗，1個SPI保障性，1個I2C帶動產業發展，2個UART責任製，1個12Bit 十分落實，8通道ADC，1個10Bit DAC規則製定，2個模擬比較器製造業。供電電壓為2.7V至4.25V，工作溫度-40℃至+85℃關規定，支持4種工作模式發展基礎，DPD模式功耗可低至0.5uA，提供TSSOP20封裝建強保護，其內建高速SPI模塊同期，高速I2C模塊，用于低成本高性能的通信處理場合使命責任。英尚微電子可提供樣品測試及必要的FAE技術支持效果。
 
003F4P6是針對高速IO應用的8位單片機寬電壓，其內建高速SPI模塊合規意識，高速I2C模塊密度增加，用于低成本高性能的通信處理場合。內核采用集成增強型CPU模塊創新內容，該CPU為單周期8位微控制器機遇與挑戰。它是一個全功能嵌入式微控制器，兼容所有ASM51指令和80C31指令善於監督；該結構的微控制器簡化了總線狀態(tài)集成技術，實現(xiàn)取指和執(zhí)行同步進行；同時51實現(xiàn)了一個時鐘周期就是一個機器周期的設計更合理，相比傳統(tǒng)的51每一個機器周期包含12個時鐘周期發展空間，整體性能上大約有8倍的提升。
 
•高性能8Bit 內核
-8 Bit 1T增強型51內核有所應，指令代碼兼容標準51
-工作頻率最高64MHz
-外設模塊時鐘為單獨門控時鐘足了準備，用戶可以選擇性關閉模塊時鐘以降低動態(tài)功耗；同時每個功能模塊可以單獨在ROM配置使能信號
-支持共13個中斷發(fā)生源敢於監督，4級中斷優(yōu)先級控制
•存儲器
-片上集成256 Bytes SRAM作為內部數(shù)據存儲區(qū)
-片上集成1KBytes XSRAM作為擴展數(shù)據存儲區(qū)幅度，同時也可以作為程序運行。
-片上集成最大16K Bytes FLASH作為程序存儲區(qū)
-片上集成 2K Bytes NVR（非易失性寄存器）
-片上集成 2K Bytes ROM重要的作用，作為芯片的Boot Loader和自檢測（啟動引導區(qū)）

本文關鍵詞：N76E003AT20,MCU,

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