富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案在繼續(xù)為需要頻繁數(shù)據(jù)重寫的客戶設(shè)備尋求更大密度的 FRAM產(chǎn)品的同時(shí)，一直在開發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)器以滿足頻繁數(shù)據(jù)讀取的要求適應性，從而引入了這種新的 12Mbit ReRAM產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體內(nèi)存解決方案不斷開發(fā)各種低功耗內(nèi)存產(chǎn)品以滿足客戶的需求應用前景。
 
MB85AS12MT是一款具有 12Mbit 存儲(chǔ)密度的非易失性存儲(chǔ)器，可在 1.6V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內(nèi)工作提供了有力支撐。新的 ReRAM 產(chǎn)品的內(nèi)存密度是現(xiàn)有 8Mbit ReRAM 的 1.5 倍激發創作，同時(shí)保持相同的封裝尺寸 WL-CSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）和相同的引腳分配。
 

型號(hào)	MB85AS12MT
密度（配置）	12Mbit (1.5M x 8bit)
界面	SPI接口
工作電壓	1.6V 至 3.6V
工作溫度范圍	-40°C 至 +85°C
閱讀耐力	無限
寫耐力	500,000 次
封裝	11pin WL-CSP
低功耗	讀取電流：0.15mA (Ave.) at 5MHz operation 讀取電流：1.0mA (Max.) at 10MHz operation 寫入電流：2.5mA (Max.) at 10MHz operation 休眠電流：8μA (Max.)

 
ReRAM電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器進一步意見，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上增幅最大，從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)生產能力，制造工藝非常簡(jiǎn)單標準，同時(shí)仍具有低功耗、寫入速度快等優(yōu)良特性堅持好。ReRAM 產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM 所產(chǎn)生的以下問題即將展開。
 
ReRAM電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上特性，從而在記錄1和0的電阻上產(chǎn)生巨大的變化傳承。其電極間采用金屬氧化物的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，制造工藝非常簡(jiǎn)單建言直達，同時(shí)仍具有低功耗多種、寫入速度快等優(yōu)良特性。富士通ReRAM 產(chǎn)品可以解決在可穿戴設(shè)備開發(fā)中使用閃存或EEPROM 所產(chǎn)生的以下問題充分發揮。
 
案例1
問題：8Mbit ReRAM 的內(nèi)存密度不足
解決方案：使用與 8Mbit 產(chǎn)品具有相同引腳分配的 12Mbit ReRAM發展成就。
好處：提高最終產(chǎn)品的性能
 
案例2
問題：由于安裝面積的限制，需要保持較小的封裝尺寸
解決方案：在非常小的封裝中使用 12Mbit ReRAM重要方式。
好處：在提高性能的同時(shí)保持小尺寸
 
案例3
問題：傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器難以降低功耗
解決方案：使用讀取電流非常小的 ReRAM開展面對面。
好處：延長(zhǎng)最終產(chǎn)品的電池壽命（減少電池更換次數(shù)）