隨機(jī)存儲RAM技術(shù)是指具有與易失性RAM相同的隨機(jī)訪問特性的存儲技術(shù)。MRAM和FRAM可以說是這一類別中最突出的成員重要部署。這些技術(shù)具有極高的讀/寫速度新型儲能。與閃存不同拓展，MRAM和FRAM技術(shù)不需要電荷泵進(jìn)行寫入設計。它轉(zhuǎn)化為讀取和寫入操作之間的較低且接近對稱的能量消耗更優美。
 
但是過程中，它們的容量范圍不超過幾兆位經驗分享，并且對于大多數(shù)應(yīng)用程序來說，它們的每字節(jié)成本高得令人望而卻步擴大。此外多樣性，盡管原始訪問速度超過50MByte/s，但隨著其他瓶頸（數(shù)據(jù)生產(chǎn)速度有限新格局、處理能力有限真諦所在、文件系統(tǒng)開銷）的暴露，凈性能實際上仍會低得多十分落實。
 
總體而言倍增效應，隨機(jī)存儲ram技術(shù)最適合以絕對性能為關(guān)鍵的利基設(shè)計。相比之下製造業，SLC NAND（以及QSPI NAND）對于通用應(yīng)用來說是一種更加平衡的解決方案。

本文關(guān)鍵詞：RAM,MRAM,FRAM

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