傳統(tǒng)上機製，有兩種方法可以增加應(yīng)用程序的ram：
使用更大的微控制器(MCU)：如果必須購(gòu)買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM不容忽視，則此選項(xiàng)的吸引力較小
使用外部并行RAM：但并行RAM使用大型封裝更為一致，通常需要至少16-20個(gè)I/O
串行SRAM提供了在設(shè)計(jì)中添加RAM的靈活性，而沒有大型MCU或并行RAM的缺點(diǎn)綠色化發展，并使用簡(jiǎn)單的4針SPI接口至關重要。這些器件還通過SDI和SQI接口提供了更高的性能，可將數(shù)據(jù)速率提高多達(dá)4倍用上了。
 
下面介紹一款可增加應(yīng)用程序的512Kbi的Serial SRAM芯片23LC512提升行動，需了解更多產(chǎn)品相關(guān)資料及技術(shù)支持可聯(lián)系英尚微電子。
 
Microchip型號(hào)23LC512容量512Kbit串行SRAM關註，與現(xiàn)在許多MCU系列的串行外設(shè)接口端口連接研究進展。它還可以通過使用在固件中正確編程以匹配SPI協(xié)議的離散I/O線與沒有內(nèi)置SPI端口的微控制器連接。23LC512還能夠在SDI/SQI高速SPI模式下工作開展。
 
Microchip微芯23LC512存儲(chǔ)器通過簡(jiǎn)單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問互動互補。所需的總線信號(hào)是時(shí)鐘輸入(SCK)加上單獨(dú)的數(shù)據(jù)輸入(SI)和數(shù)據(jù)輸出(SO)線發揮重要帶動作用。通過芯片選擇(CS)輸入控制對(duì)器件的訪問。如果應(yīng)用需要更快的數(shù)據(jù)速率意料之外，還支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）文化價值。該器件還支持對(duì)存儲(chǔ)器陣列的無(wú)限制讀寫。23LC512采用標(biāo)準(zhǔn)封裝置之不顧，包括8-引線SOIC不斷完善、PDIP和先進(jìn)的8引線TSSOP。

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