磁阻隨機(jī)存取存儲器MRAM與傳統(tǒng)類型的存儲器（如SRAM、DRAM和閃存）不同不難發現，后者使用電荷來存儲信息形式。MRAM不是利用電子的電荷行動力，而是利用其自旋來存儲數(shù)據(jù)表現明顯更佳。這種類型的電子學(xué)被稱為“自旋電子學(xué)”發展基礎。
 
MRAM自旋電子特性的核心是磁隧道結(jié)(MTJ)利用好，這是一種由許多鐵磁層和非磁層組成的薄膜結(jié)構(gòu)高效流通。MTJ的電阻以及因此存儲元件的位狀態(tài)性能穩定，純粹隨著這些層的極化變化而切換全面革新。由于這些材料在未通電時幾乎可以永遠(yuǎn)保持其極化狀態(tài)，因此MRAM與閃存情況正常、FeRAM和EEPROM一起屬于非易失性存儲器(NVM)陣營行業分類。
 
對于1960年代和70年代的系統(tǒng)設(shè)計人員來說，當(dāng)半導(dǎo)體存儲器相對較新時提高鍛煉，標(biāo)準(zhǔn)的思維方式是“在速度和密度很重要但功率不重要時考慮易失性存儲器”和“當(dāng)功率和密度很重要時考慮非易失性存儲器”速度不是發展邏輯。”這些簡單的規(guī)則適用于當(dāng)時可用的技術(shù)，如DRAM有所提升、SRAM和EEPROM聽得進。然而，今天的內(nèi)存領(lǐng)域包含如此多的技術(shù)先進水平，以至于不再可能做出如此嚴(yán)格的區(qū)分便利性。每種類型的內(nèi)存都有其獨特的優(yōu)勢和劣勢，并且有一些“理想內(nèi)存”候選者承諾結(jié)合許多技術(shù)的優(yōu)勢而沒有弱點重要平臺。一個這樣的候選者是基于自旋扭矩技術(shù)的下一代MRAM緊迫性，稱為STT-MRAM。它承諾結(jié)合閃存的非易失性更適合、DRAM的密度高效、SRAM的速度和MRAM的抗輻射性溝通協調。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,SRAM

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