開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓全技術方案、端電壓發展契機、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試發揮重要帶動作用，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形意向，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過程波形至關(guān)重要文化價值。
 
SIC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度形式，同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案數字化。
 
SiC MOSFET與Si開關(guān)器件的一個(gè)重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同方便，Si開關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達(dá)到±30V，而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V改革創新，負(fù)壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V知識和技能。
 
同時(shí)，SiC MOSFET開關(guān)速度快新模式，開關(guān)過程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩實現，如果震蕩超過其柵極耐壓能力，則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞組織了。
 
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久服務體系，往往會在驅(qū)動(dòng)電壓測量上遇到問題，即測得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大紮實、存在與理論不相符的尖峰效高化，導(dǎo)致搞不清楚是器件的問題還是電路設(shè)計(jì)的問題，進(jìn)而耽誤開發(fā)進(jìn)度投入力度。


本文關(guān)鍵詞：SIC MOSFET

相關(guān)文章：功率半導(dǎo)體是汽車半導(dǎo)體的主要構(gòu)成

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商創造，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM貢獻法治、pSRAM設備製造、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案攻堅克難。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI管理、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)雙向互動、Everspin 效率和安、IPSILOG、LYONTEK品牌、ISSI深入開展、CYPRESS、ISOCOME等形式、PARAGON技術的開發、SINOCHIP、UNIIC提供深度撮合服務； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM服務品質、ETRON、FUJITSU組成部分、LYONTEK影響、WILLSEMI新的動力。