MCU內(nèi)部存儲器的總數(shù)取決于存儲器的分類。主要有兩種存儲器：隨機存取存儲器（RAM）的過程中、只讀存儲器（ROM）。但是，根據(jù)內(nèi)存性能的不同更優質，RAM和ROM有不同的類型。這些不同類型的內(nèi)存適用于各種功能著力提升，如高速緩存創新為先、主內(nèi)存、程序內(nèi)存等臺上與臺下。另一方面用的舒心，存在內(nèi)存虛擬和物理定義問題。
 
RAM兩種主要類型是靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)集聚效應。兩者都必須施加電壓來存儲其信息集成。DRAM很簡單，基本實現(xiàn)只需要一個晶體管和一個電容器互動講。DRAM它是所有內(nèi)存技術(shù)中最常用的一種穩定性。當集成到MCU它被稱為嵌入式DRAM(eDRAM)。與外部存儲器的等效分離DRAM芯片相比過程中，eDRAM每比特的成本更高去突破。即便如此，也會將eDRAM放置于與Cpu同樣的芯片特性優(yōu)勢仍然超過了高性能應(yīng)用的成本劣勢達到。
 
SRAM比eDRAM復(fù)雜智能設備，一般由六個晶體管完成。SRAM比DRAM速度快蓬勃發展，所以特別適合集成到MCU中間特點。這是最常用的內(nèi)部MCU內(nèi)存技術(shù)之一。SRAM通常用作高速緩存和Cpu存儲器重要性。
 
MCU非易失性存儲器包括閃存和電可擦可編程ROM(EEPROM)又進了一步。閃存是EEPROM一種形式。管理模式是兩者之間的重要區(qū)別記得牢；Flash管理(寫入或或擦除)註入了新的力量，EEPROM可以管理字節(jié)級別。閃存適用于NAND和NOR架構(gòu)。NAND閃存以塊為基準處理數(shù)據(jù)去創新，讀取速度快于寫入速度足夠的實力。它可以快速傳輸多頁數(shù)據(jù)。它提供比NOR更高的高密度的單位面積容積結構。NOR Flash適用于更細粒度的操作更適合，并提供高速隨機訪問。NOR Flash能夠讀寫特定信息溝通協調。
 
易失性和非易失性存儲技術(shù)可根據(jù)幾個特點進行比較：
速率：易失性內(nèi)存更快速
成本：易失性內(nèi)存成本較低
使用壽命：易失性存儲器的使用壽命較長要素配置改革。由于其重寫能力，非易失性存儲器的使用壽命有限保障性。
能耗：DRAM易失性存儲器必須重復(fù)數(shù)據(jù)更新帶動產業發展，這將消耗額外的功率。非易失性存儲器通常消耗較少的功率十分落實。

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