磁性存儲器MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術機遇與挑戰。目前主流的MRAM技術是STT-MRAM明顯，使用隧道層的“巨磁阻效應”來讀取位單元共同努力，當該層兩側的磁性方向一致時為低電阻進入當下，當磁性方向相反時反應能力，電阻會變得很高重要意義。
 
MRAM技術特點：
 
寫入速度快基礎、功耗低：MRAM的寫入時間可低至2.3ns預下達，并且功耗極低的有效手段，可實現(xiàn)瞬間開關機并能延長便攜機的電池使用時間。
 
和邏輯芯片整合度高：MRAM的單元可以方便地嵌入到邏輯電路芯片中方案，只需在后端的金屬化過程增加一兩步需要光刻掩模版的工藝即可關鍵技術。再加上MRAM單元可以完全制作在芯片的金屬層中，甚至可以實現(xiàn)2-3層單元疊放深入，故具備在邏輯電路上構造大規(guī)模內存陣列的潛力技術研究。
 
非易失：鐵磁體的磁性不會由于斷電而消失，故MRAM具備非易失性開展研究。
 
讀寫次數無限：鐵磁體的磁性不僅斷電不會消失姿勢，而是幾乎可以認為永不消失，故MRAM和DRAM一樣可以無限次重寫首要任務。
 
MRAM性能較好綠色化，但臨界電流密度和功耗仍需進一步降低。目前MRAM的存儲單元尺寸仍較大且不支持堆疊發展，工藝較為復雜保持穩定，大規(guī)模制造難以保證均一性，存儲容量和良率爬坡緩慢面向。在工藝取得進一步突破之前支撐作用，MRAM產品主要適用于容量要求低的特殊應用領域，以及新興的IoT嵌入式存儲領域效率。


本文關鍵詞：MRAM,STT-MRAM

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