NETSOL自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）。數(shù)據(jù)始終是非易失性的實事求是，可以取代具有相同功能的FRAM產能提升、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的耐久性特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄落實落細、備份存儲器和工作存儲器。
 
    Parallel STT-MRAM的容量范圍從1Mbit到16Mbit高效化。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器製高點項目。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制（LB範圍和領域、UB）進行低位和高位字節(jié)訪問有所增加。
 
    它支持異步頁面模式功能，以提高讀寫性能更高要求。x16 I/O模式和x8 I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字越來越重要的位置。該設(shè)備提供工業(yè)（-40℃至85℃）工作溫度范圍。官方代理英尚微支持提供樣品測試共同學習。
 
    核心特征
    容量:1Mb順滑地配合、2Mb、4Mb應用優勢、8Mb高質量發展、16Mb全方位、32Mb,64Mb
    電源供應(yīng)：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
    Parallel異步接口x16/x8I/O
    數(shù)據(jù)保存期：10年
    讀取耐力：無限
    擦寫耐力:10¹⁴
    無需外部ECC
    封裝：48FBGA高效節能、44TSOP2、54TSOP2


半導(dǎo)體Netsol代理1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM選型表：http://mifengguhua.com/list-831-1.html

Density	Part Number	Organization	VDD(V)	Access Time(ns)	Temperature	Package
1Mbit	S3R1016V1M	64Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1008V1M	128Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1016R1M	64Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1008R1M	128Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2016V1M	128Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2008V1M	256Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2016R1M	128Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2008R1M	256Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4016V1M	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4008V1M	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4016R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4008R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
8Mbit	S3R8016V1M	512Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
8Mbit	S3R8008V1M	512Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
8Mbit	S3R8016R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
8Mbit	S3R8008R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
16Mbit	S3R1616V1M	1Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
16Mbit	S3R1608V1M	2Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
16Mbit	S3R1616V1M	1Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
16Mbit	S3R1608R1M	2Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA

本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,MRAM,Netsol代理

相關(guān)文章：Netsol MRAM非易失存儲芯片是數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的優(yōu)選

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商大局，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM新創新即將到來、MRAM、pSRAM有序推進、 FLASH芯片設施、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI堅定不移、NETSOL組合運用、JSC濟州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 迎難而上、IPSILOG積極、LYONTEK、ISSI堅持先行、CYPRESS結構、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP能力建設、UNIIC模樣； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON服務、FUJITSU很重要、LYONTEK、WILLSEMI大型。