大陸正在全力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，朝著建立自主存儲器和邏輯芯片目標前進配套設備，在三大主要DRAM廠三星範圍和領域、SK海力士及美光全力防止技術(shù)流向陸廠外優勢與挑戰，對岸挖角行動也伸向邏輯芯片代工廠主要抓手，臺灣廠商在這個時候需要提高警覺。      
      大陸已將半導體產(chǎn)業(yè)列為國家重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)共享，并表示到2020年自制率要達到百分之五十發揮重要帶動作用，到2025年自制率更提高到百分之七十五。
      大陸各省為爭取國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金挹注發力，也積極朝自建晶圓廠目標前進優勢領先，發(fā)展目標除了內(nèi)存外，還包括應用范圍更廣的邏輯芯片共創美好。
      據(jù)統(tǒng)計推動並實現，大陸目前宣布投入興建十二寸晶圓廠投資多達二十六座，其中已有十二座進入建廠覆蓋範圍；大陸全力發(fā)展半導體的力度優化程度，已讓全球不敢小覷。
      陸廠為達成相關(guān)政策目標奮勇向前，不惜砸重金投資不斷豐富，爭奪人才和技術(shù)。 其中DRAM產(chǎn)業(yè)被列為國家政策指針廠紫光集團組建，已陸續(xù)宣示在武漢及南京各自興建年產(chǎn)30到35萬片的內(nèi)存存儲芯片生產(chǎn)重鎮(zhèn)各有優勢；合肥長鑫和福建晉華也都相繼展開建廠行動。
      但DRAM目前技術(shù)只剩SK海力士重要的意義、三星和美光三大廠持續，盡管陸廠大手筆挖角，但在三大廠反制下再獲，研發(fā)時程恐難如預期在明年大舉投入DRAM生產(chǎn)產品和服務，倒是NAND Flash突破防線機率高。
      至于被列為邏輯芯片指針中芯體驗區，近來面臨28mn良率一直無法突破增多，也把挖角行動伸向臺廠，雖然臺廠中的臺積電等向來對防止技術(shù)外流做了極萬全的防護新格局，但人才跳槽是最難防落到實處，如果大陸處心積極要挖角，也有可能突破防線最新，目前臺灣在晶圓代工雖取得全球領(lǐng)先優(yōu)勢技術創新，但還是得提防對岸猛烈的挖角行動處理方法。
     在全球主要三大DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防堵技術(shù)流向陸廠外持續向好，對岸挖角行動也伸向臺積電等邏輯芯片代工廠習慣。
     臺灣眾達國際法律事務所律師黃日燦建議，企業(yè)防范未然進展情況，游戲規(guī)則訂清楚且應定期檢討的積極性。
     黃日燦表示，企業(yè)防止營業(yè)秘密外流主要有三招至關重要，第一不久前，資方須嚴守營業(yè)秘密，可讓僅需了解相關(guān)工作的關(guān)鍵員工知道即可提升行動，同時能力建設，在制程方面，也應僅有少數(shù)人可完整了解研究進展，或各員工了解的營業(yè)秘密有所區(qū)隔無障礙。 第二，任何工作守則快速融入、承諾書等法律文件都應簽署認為，游戲規(guī)則定清楚且定期檢討。 第三增強，機密的內(nèi)容應使用公司計算機與手機重要意義。