3D NAND是對閃存單元層進(jìn)行垂直向上堆疊，類似于微型摩天大樓通過活化，近期有報道稱3D NAND今年將成為全閃存內(nèi)存的重要技術(shù)。
        據(jù)一家分析機(jī)構(gòu)最新預(yù)測運行好，NAND閃存制造商已經(jīng)把重點(diǎn)放在將其制造廠改造成3D NAND芯片制造廠，而與傳統(tǒng)2D NAND相比可能性更大，3D NAND生產(chǎn)速度更快意見征詢，成本更低、密度更高大大提高。
        BiCS (Bit Cost Scaling)是西部數(shù)據(jù)聯(lián)合東芝用來生產(chǎn)固態(tài)硬盤及其它NAND閃存產(chǎn)品的一種垂直疊加或是3D技術(shù)。它們最新的內(nèi)存每單元可存儲3比特位數(shù)據(jù)并且可以將這些單元向上疊加64層之高研究成果。
        該分析機(jī)構(gòu)報道稱取得了一定進展，為追隨一馬當(dāng)先的3D NAND制造商三星和美光的腳步，大多數(shù)NAND閃存供應(yīng)商將在2017年下半年開始大批量生產(chǎn)64層3D NAND芯片大面積。
        今年年初積極參與，西部數(shù)據(jù)與合作伙伴東芝開始生產(chǎn)64層NAND閃存產(chǎn)品，業(yè)內(nèi)密度最大培養，每單元可存儲3比特數(shù)據(jù)交流研討。
        這些3D NAND閃存芯片是基于一種西部數(shù)據(jù)和東芝稱為BiCS的垂直疊加或3D技術(shù)。西部數(shù)據(jù)已經(jīng)對基于64層NAND閃存技術(shù)的首批512GB 3D NAND芯片進(jìn)行了小批量生產(chǎn)形式。西部數(shù)據(jù)64層產(chǎn)品的取樣將在5月底開始建設應用，今年下半年初期將會進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
         對于企業(yè)來說日漸深入，3D NAND的批量生產(chǎn)代表著它們用于數(shù)據(jù)中心和工作站的非易失性存儲價格將會更加便宜動力。
不過DRAMeXchange表示，即便3D NAND產(chǎn)品增加互動式宣講，整體的NAND閃存支持也會由于蘋果新一代iPhone推出所需的組件庫存以及SSD供應(yīng)商的穩(wěn)定需求效高性，預(yù)計今年仍保持緊張態(tài)勢。
         3D NAND現(xiàn)在構(gòu)成了三星和美光各自NAND閃存產(chǎn)出的一半以上自動化。SK海力士正在準(zhǔn)備推出72層NAND芯片提升。據(jù)報道指出高品質，SK海力士為了追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)先廠商，決定在今年下半年開始大批量生產(chǎn)72層芯片支撐能力。
        DRAMeXchange認(rèn)為資源優勢，三星在3D NAND技術(shù)競爭中仍處于上風(fēng)。該公司的48層芯片被廣泛應(yīng)用于客戶端SSD大數據、企業(yè)級以及移動NAND產(chǎn)品長效機製。
        而三星在韓國平澤市新建的制造廠也已經(jīng)完成了設(shè)備安裝，預(yù)計將于今年7月份開始生產(chǎn)64層閃存芯片數字技術。美光是排名僅次于三星的第二大3D NAND供應(yīng)商奮戰不懈，同時該技術(shù)占其整體NAND閃存產(chǎn)出的50％以上。美光目前受益于使用其32層存儲芯片以及擁有強(qiáng)大的自有品牌固態(tài)硬盤發(fā)貨量的主要內(nèi)存模塊制造商措施。

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商取得顯著成效，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM實現、pSRAM不容忽視、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案服務體系。
  英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI說服力、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)分析、Everspin 表示、IPSILOG、LYONTEK非常激烈、ISSI競爭力所在、CYPRESS足夠的實力、ISOCOME異常狀況、PARAGON統籌、SINOCHIP達到、UNIIC責任製； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM效果較好、ETRON知識和技能、FUJITSU即將展開、LYONTEK雙重提升、WILLSEMI橋梁作用。