Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構(gòu)成選擇適用。對于這款并行MRAM來說好宣講，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失對外開放，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護提供有力支撐，以防止在非工作電壓期間寫入可持續。并行MRAM是大多數(shù)手機 不斷進步、 移動設(shè)備工藝技術、膝上機效率、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看近年來，可以預(yù)計它將能解決包括計算機或手機啟動慢講道理、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢技術先進、電池壽命短等問題更多的合作機會，明顯改變消費者使用電子沒備的方式。

 

并行MRAM特性
 

+3.3V電源

35 ns快速讀/寫周期

SRAM兼容時序

出色的耐讀/寫能力

在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失

符合RoHS標準的小外形BGA和TSOP封裝

 

并行mram優(yōu)勢
 

一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存情況正常、SRAM行業分類、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單提高鍛煉、高效的設(shè)計

替代電池供電的SRAM相結合，提高可靠性

本文關(guān)鍵詞：并行MRAM

 

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