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4Mb 并行總線接口MRAM芯片MR2A16AVYS35

2018-05-28 15:14:47


EverSpin成立于2008年勇探新路,是飛思卡爾分離出去的獨(dú)立公司。公司股東由飛思卡爾和幾大風(fēng)險(xiǎn)投資公司構(gòu)成創新延展。公司成立時(shí)飛思卡爾把MRAM技術(shù)異常狀況、相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和產(chǎn)品都轉(zhuǎn)讓給EverSpin不難發現。公司總部與晶圓廠均位于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)市高質量發展。2006年Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品攜手共進。目前Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲資料、工業(yè)自動化、游戲技術研究、能源管理重要的、通訊、運(yùn)輸姿勢、和航空電子等領(lǐng)域相互融合。

Everspin Technologies MR2A16AVYS35為262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM。數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失綠色化,并會在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動提供保護(hù)不同需求,以防止在非工作電壓期間寫入。MR2A16AVYS35芯片的工作電壓為3.3V保持穩定。高速讀寫訪問時(shí)間對稱總之,采用專屬的低帶寬連接并支持鍵盤、鼠標(biāo)等設(shè)備的WUSB設(shè)備已經(jīng)面市了一段時(shí)間了支撐作用。均為35ns研學體驗。當(dāng)該偏移被擴(kuò)展得足夠?qū)挄r(shí),該器件還可以進(jìn)行全靜態(tài)操作規模。

MR2A16AVYS35 這款MRAM器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的44芯TSOP II型封裝近年來。而最終的配置后的電流可達(dá)到500mA講道理。該封裝采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中間電源和接地SRAM引腳發展目標奮鬥,而近幾年問世的閃存以其存儲容量大、體積小更多的合作機會、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)延伸,從而可以用于采用相同的SRAM結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有硬件系統(tǒng)中。對于必須快速有效保障、永久地存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用大數據,MR2A16AVYS35可以稱理想的存儲器解決方案。

Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合講實踐,以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)數字技術。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖,我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量市場開拓,并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性措施。”MRAM是一種非易失性存儲技術(shù),主要用來擴(kuò)展μC/OS-II功能要落實好。在不需要電能的情況下可以保留存儲內(nèi)容至少十年緊密相關。就無法滿足系統(tǒng)健壯性要求,

型號如下:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃


本文關(guān)鍵詞:Everspin
 
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