MRAM具有與標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）類似的性能特征，同時(shí)還具有非易失性存儲(chǔ)器的持久性共創美好，這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源新品技，其不會(huì)丟失其電荷或數(shù)據(jù)。這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應(yīng)用進一步推進，如需要性能和持久性的汽車和工業(yè)應(yīng)用導向作用。

 

Everspin推出標(biāo)準(zhǔn)封裝的并行MRAM芯片MR2A16AMA35，該器件沒有寫入延遲應用的選擇，時(shí)鐘速度高達(dá)40mhz十大行動，本質(zhì)上具有無限耐用性以及超過20年的數(shù)據(jù)保存。該ic采用標(biāo)準(zhǔn)并行總線接口背景下，工作電壓為2.7~3.6v綜合措施，典型睡眠電流為3ua。器件采用44-TSOP標(biāo)準(zhǔn)封裝自然條件，工作溫度為-40℃ to +125℃設計標準。是一款屬于汽車級(jí)產(chǎn)品，可以在溫度條件嚴(yán)苛的條件下工作互動互補，保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的特性充分發揮。

產(chǎn)品列表如下：

 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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