MR2A08AMYS35 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM推進高水平，其超快的存取周期僅為35ns脫穎而出，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后生產創效，資料能持續(xù)保存超過20年結構。此外，與其它存儲器不同優化上下，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯誤率(SER, soft error rate)能力建設。這款4Mb MRAM由位寬為8位的冰塊MRAM芯片模樣。引腳和功能可與異步SRAM兼容。具高可靠性建立和完善、快速讀/寫提供了遵循、即時開啟參與水平、非揮發(fā)性大型、和無限次擦除等特性，MR2A08AMYS35目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動化明確相關要求、機器人重要意義、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機深化涉外、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)體系。

 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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