存儲和服務器OEM廠商一直在評估其ST-MRAM產(chǎn)品實現，Everspin科技公司將為基于MRAM的存儲級存儲器（SCM）進一步提高密度創新為先，并預計將今年晚些時候基于其專有的垂直磁隧道結（pMTJ）ST-MRAM的1Gb產(chǎn)品關鍵技術。

 

Everspin自2008年以來一直從事MRAM業(yè)務要落實好。最先推出MRAM產(chǎn)品主要是提供SRAM的替代品大力發展，現(xiàn)在已經(jīng)包括工業(yè)，汽車和運輸市場中的離散和嵌入式應用MRAM產(chǎn)品服務。 對于汽車市場，特別是對于需要高帶寬和高耐用性的高級駕駛員輔助系統(tǒng)能力和水平。RAID存儲仍然是Everspin成熟的MRAM產(chǎn)品中最大的一部分覆蓋，約占40％的需求，而35％在工業(yè)控制應用研究。汽車和運輸占其余大部分高效。

 

Everspin將提供獨立的ST-MRAM產(chǎn)品和NVDIMM，開始時密度為256Mb提高，1Gb機構。

 

從市場來看持續(xù)DRAM市場遠遠大于持續(xù)性SRAM市場，而新型高密度256Mb ST-MRAM可用于保護包括SSD在內(nèi)的第一級存儲器中的熱數(shù)據(jù)。能夠保護飛行中的數(shù)據(jù)基礎，而不必擔心由于電源不可靠造成的數(shù)據(jù)損壞以及NAND和其他永久存儲器的較慢寫入性能提供堅實支撐。 

 

Everspin將提供分立的ST-MRAM產(chǎn)品和NVDIMM。后者通過消除斷電期間所需的DRAM和NAND閃存之間的數(shù)據(jù)傳輸來提供改進的可靠性高產。 256Mb ST-MRAM允許該公司進入基于SSD的存儲市場信息化技術，即將推出1Gb密度。 

 

通用的記憶在解決具體問題方面變得不那么有效良好。 ST-MRAM比DRAM更適合寫緩存逐步顯現。然而，Everspin不直接瞄準DRAM引領，而是專注于為需要持久存儲器的應用取代DRAM自動化裝置。 

 

迄今為止，Everspin一直是唯一一家取得顯著商業(yè)成功的MRAM公司應用前景，盡管還有其他供應商正在研究利基內(nèi)存有很大提升空間。例如，Avalanche技術公司宣布正在采樣業(yè)界首款采用32 / 64Mbit獨立分立STT-MRAM存儲器器件的行業(yè)首款自旋轉矩磁RAM（STT-MRAM）芯片預下達，并采用行業(yè)標準SPI基于55nm節(jié)點代工過程的接口的有效手段。

 

本文關鍵詞：Everspin

 

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