Everspin領(lǐng)先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準(zhǔn)備設(shè)計(jì)和制造生態(tài)系統(tǒng)

 

亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在業(yè)界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM）提供了遵循，這是一種新型高性能和超低延遲內(nèi)存，預(yù)計(jì)將改變存儲(chǔ)架構(gòu)并有助于推動(dòng)摩爾定律的不斷演變。

 

STT-MRAM在速度、面積重要部署、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中具體而言，因此被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的理想器件工具。STT-MRAM的應(yīng)用前景并不局限于傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系，還能夠擴(kuò)展到其他諸多領(lǐng)域喜愛，甚至有望成為通用存儲(chǔ)器重要的角色。例如，寶馬公司在發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊采用MRAM以保證數(shù)據(jù)在斷電情況下不丟失高質量。鑒于磁性存儲(chǔ)具有抗輻射的優(yōu)勢(shì)也逐步提升，空客公司在A350的飛行控制系統(tǒng)中采用MRAM以防止射線造成數(shù)據(jù)破壞。此外註入了新的力量，在物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域重要的作用，泛在的傳感器終端需要搜集海量數(shù)據(jù)，為節(jié)省存儲(chǔ)功耗去創新，使用非易失性存儲(chǔ)器勢(shì)在必行足夠的實力，STT-MRAM以其相對(duì)優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件

產(chǎn)品列表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

 

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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