并行MRAM的特性介紹
2018-06-14 14:20:20
MRAM利用電子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存儲(chǔ)器動手能力。 MRAM將信息存儲(chǔ)在與硅電路集成的磁性材料中，以便將RAM的速度與Flash的非易失性相提并論。總部位于亞利桑那州錢(qián)德勒的Everspin擁有并運(yùn)營(yíng)著一條生產(chǎn)線，用于其磁性后端晶圓加工探索創新，采用鑄造廠生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓。Everspin Technologies是一家開(kāi)發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）的公共半導(dǎo)體公司，其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）等特點，
Everspin目前的MRAM產(chǎn)品基于180納米和130納米工藝， nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝多種。
并行MRAM具有快速將進一步、非易失性的SRAM讀寫(xiě)周期時(shí)間。8位MRAM系列容量為256Kb到16Mb發展成就，16位MRAM系列容量為1Mb到16Mb成就，提供符合RoHS規(guī)范的TSOP和BGA兩種封裝重要方式。與所有Everspin非易失性RAM一樣，所有器件可無(wú)限次讀寫(xiě)效高性。
并行MRAM特性
. 讀取/寫(xiě)入周期時(shí)間：35ns
. 真正無(wú)限次擦除使用
. 業(yè)內(nèi)最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間----超過(guò)20年的非揮發(fā)特性
. 可取代多種存儲(chǔ)器----集閃存模式、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
. 采用MRAM取代電池供電的SRAM方案提升，解決了電池組裝高品質、可靠性以及責(zé)任方面的問(wèn)題
. 掉電數(shù)據(jù)自動(dòng)保護(hù)
. 具備商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)支撐能力、擴(kuò)展級(jí)和汽車(chē)級(jí)的可選溫度范圍
. 符合RoHS資源優勢、兼容SRAM 的TSOPII封裝
. 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封裝（板面積縮小了3倍）
. 16位并行總線接口MRAM
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