eVaderis最近發(fā)布一項超低功耗MCU參考設計的共同開發(fā)計劃，采用格芯(Globalfoundries)基于22nm FD-SOI (22FDX)平臺的嵌入式MRAM技術狀態。兩家公司正尋求支持一系列的低功耗應用技術節能，例如以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品、消費和工業(yè)MCU研究與應用，以及汽車控制器飛躍。

Globalfoundries近來積極經(jīng)營MRAM領域，它是少數(shù)幾家公開宣布在2017年底前至2018年量產(chǎn)MRAM的代工廠之一全面協議，并且也已經(jīng)與Everspin Technologies展開深入合作——Everspin Technologies是第一家從新興MRAM獲得商業(yè)動能的制造商重要部署。在2017年于日本舉行的國際超大規(guī)模集成電路技術、系統(tǒng)暨應用研討會(VLSI-TSA 2018)上工具，Globalfoundries在一篇技術論文中描述了Everspin將eMRAM推向22nm制程節(jié)點的進展智慧與合力，以及它如何為嵌入應用大幅提升數(shù)據(jù)保留效能。同時重要的角色，Spin Transfer Technologies (STT)近期在商用化MRAM技術方面也取得了進展開放要求。

eVaderis透過Globalfoundries的FDXcelerator合作伙伴計劃設計其MCU技術，并有效利用22FDX平臺的高效率電源管理功能平臺建設。eVaderis總裁兼執(zhí)行長Jean-Pascal Bost在接受《EE Times》電話采訪時表示迎來新的篇章，使用Globalfoundries的eMRAM用于讓eVaderis MCU的各個部份頻繁地上電，而不會導致典型的MCU性能損失推動並實現，較上一代MCU的電池壽命更高10倍以上，芯片尺寸也大幅縮小覆蓋範圍。

eVaderis在eMRAM MCU方面的進展反映該公司的預測：新興內(nèi)存將在2016年取得明顯成長動能優化程度，而不再等待業(yè)務到位。eVaderis于2014年成立奮勇向前。Bost表示該公司的目標在于以MRAM與RRAM等顛覆性的嵌入式內(nèi)存技術為基礎不斷豐富，提供創(chuàng)新IP解決方案。目前該公司有三大內(nèi)部團隊組建，分別專注于設計自動化各有優勢、制作工具以及系統(tǒng)。

整體而言重要的意義，eVaderis期望能將某一種內(nèi)存制程移植到另一種持續，從一家代工廠移植到另一座代工廠。eVaderis創(chuàng)辦人兼副執(zhí)行長Virgile Javerliac說再獲，該公司目前主要專注于為MRAM和RRAM等內(nèi)存開發(fā)高效率IP產品和服務。

Bost說，自公司最初成立以來體驗區，許多情況已經(jīng)發(fā)生變化了增多。“五年前活動上，我們認為必定會在40nm時面對閃存的挑戰(zhàn)，而今情況并非如此明顯。三家主要的代工廠都采用MRAM作為28nm及以下節(jié)點的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案安全鏈，而且這些節(jié)點都不會再有閃存。這對我們來說是個好消息創新為先。”

 
eVaderis專注于具顛覆性的嵌入式NVM的產(chǎn)品真正做到，例如可提供類似嵌入式SRAM和DRAM性能的自旋傳輸力矩磁性隨機內(nèi)存(STT-RAM)和電阻式隨機存取內(nèi)存(RRAM)。

Javerliac表示持續向好，位級的讀寫能力以及讓客戶直接存取編譯程序習慣，有助于縮短產(chǎn)品上市時間。相較于宏觀層面的閃存進展情況，目前采用MRAM已能在邏輯層面工作了的積極性。“你可以在CPU中啟用特定類型的功能。”他說至關重要，與Flash不同的是不久前，你可以將技術分配用于整個系統(tǒng)中。

Bost說提升行動，eVaderis早期曾經(jīng)進行了大量的客戶訪談能力建設，目的在于了解對于MRAM和RRAM的性能期待。PRAM帶來了一些新的市場興趣研究進展，因為它展現(xiàn)出可能成為某些應用的理想解決方案無障礙。他說：“這兩種技術都有發(fā)展空間。但很顯然快速融入，最大的市占率將會屬于MRAM認為。”

eVaderis與GlobalFoundries共同開發(fā)使用eMRAM的22FDX參考設計，預計將在今年第四季上市增強。制程設計套件現(xiàn)已上市重要意義，采用多計劃晶圓的22FDX eMRAM客戶原型已在開發(fā)中。

Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示更加廣闊，迄今為止規劃，在MCU上采用這些新興內(nèi)存并不普及，主要是因為這些新技術比起NOR閃存或SRAM的成本更高可以使用。他說：“隨著制程微縮超過14nm進入當下，預計將會發(fā)生變化，因為NOR無法再使用應用領域，而SRAM也開始變得越來越大保持競爭優勢。”

Handy表示，eVaderis支持低功耗MRAM的低功耗MCU聽起來與電池供電設備非常相稱。“MRAM比閃存更能持久儲存數(shù)據(jù)完成的事情。然而物聯與互聯，無論是NAND還是NOR，閃存的寫入都會長時間耗電改造層面，"強制預擦除更是耗電供給。”

他認為，MRAM和其他新興非揮發(fā)性技術的特點之一在于編程人員能夠靈活地使用內(nèi)存經驗分享。“他們不再需要將程序代碼限制在NOR的大小或限制數(shù)據(jù)只能在SRAM的大小解決方案，”Handy說： “這不僅簡化了設計，而且透過讓同樣基于MRAM的MCU用于多種應用中有力扭轉，可為某些客戶節(jié)省成本

本文關鍵詞：Everspin

 

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