Everspin在2006年從飛思卡爾半導(dǎo)體公司獨立分離出來發行速度，成立后一直致力于研發(fā)MRAM芯片的產(chǎn)品趨勢，也是全球第一家生產(chǎn)商業(yè)化MRAM芯片，是世界領(lǐng)先的分立和嵌入式MRAM開發(fā)商和制造商效果，產(chǎn)品廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化足了準備、游戲合作關系、能源管理、通訊深刻內涵、運輸傳遞、和航空電子領(lǐng)域。
Everspin MR256D08BMA45并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期深入闡釋，并擁有出色耐久性相關性。Everspin MR256D08BMA45為32字 x8位的256Kbit磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM)。
這款并行MRAM屬于非易失性存儲芯片物聯與互聯，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失穩定，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入供給。并行MRAM是大多數(shù)手機(jī) 優勢與挑戰、 移動設(shè)備、膝上機(jī)投入力度、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品創造。
EVERSPN并口mram型號如下：
|
Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256D08BMA45 | 48-BGA | 3.3VDD, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256DL08BMA45 | 48-BGA | 2.7VDD min, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
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