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MR25H40MDF容量為4Mb的磁阻隨機存取存儲器

2018-07-24 14:09:55

Everspin科技是全球第一家在生產(chǎn)并銷售MRAM產(chǎn)品的半導體公司進展情況,目前總部在美國,深圳市英尚微電子有限公司為Everspin科技公司的中國區(qū)代理商多樣性,我司主要銷售并口MRAM,串口MRAM,STT-MRAM等有力扭轉,Everspin科技公司在年初推出了一款容量為基于UltraScale FPGA板卡的NVMe存儲加速卡上高質量,加速卡上集成了1Gbyte nvNITRO ES1GB和2Gbyte nvNITRO ES2GB,可提供1,500,000 IOPS廣度和深度,6μ秒的端到端延遲深入交流。

EverspinTechnologies MR25H40MDF容量為4Mb的磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。MR25H40MDF擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲)加強宣傳,以及出色的耐讀/寫能力臺上與臺下。數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失用的舒心,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入品牌。對于必須快速深入開展、永久地存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,MR25H40MDF在較為寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲等形式。溫度范圍-40℃ to +125℃技術的開發,用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素飛躍。
 

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