MRAM在半導(dǎo)體製程嵌入式記憶體的應(yīng)用算是站穩(wěn)腳了情況正常，剩下的只是能替代幾層cache的問(wèn)題。但是最早的MRAM產(chǎn)品是獨(dú)立記憶體的形式，雖然在第一代toggle MRAM－用電流產(chǎn)生磁場(chǎng)、進(jìn)而翻轉(zhuǎn)磁矩－的能源效率不高平臺建設，寫(xiě)入電流高共同，單元面積也大效率，但是對(duì)于要求寫(xiě)入速度快進行部署、永久儲(chǔ)存的利基市場(chǎng)已經(jīng)初試啼聲大局。
 
隨著MRAM的技術(shù)演進(jìn)新創新即將到來，寫(xiě)入電流大幅下降，需要提供驅(qū)動(dòng)電流的CMOS也隨之變小宣講手段，因而密度得以大幅提高≈匾ぞ?，F(xiàn)在Everspin用28nm可以做出1Gb的STT MRAM，介面是現(xiàn)在DRAM常用的DDR4基礎，這意味著它寫(xiě)入速度已如DRAM一般性能，在10ns左右，更好的是它毋需定期更新(refresh)對外開放，節(jié)省能耗技術創新；讀取資料也不是破壞式的，因此也不必再重新寫(xiě)入資料資料。
 
就如同一般新科技產(chǎn)品廣泛應用，剛開(kāi)始時(shí)因?yàn)槌杀靖撸荒芟裙ト蝺r(jià)高的利基市場(chǎng)橫向協同。一個(gè)典型的MRAM應(yīng)用例子是數(shù)據(jù)中心的獨(dú)立硬碟隨機(jī)陣列(Random Array Independent Disk哪些領域；RAID)。網(wǎng)路資料上傳時(shí)數(shù)據(jù)中心寫(xiě)入固態(tài)硬碟中NAND的速度很慢不斷創新，所以需要DRAM當(dāng)資料緩衝記憶體建立和完善。但是若發(fā)生斷電時(shí)，DRAM上正在處理的資料就會(huì)流失參與水平，對(duì)于處理重要數(shù)據(jù)如金融交易是不可承受之重大型，而這就是MRAM上場(chǎng)的時(shí)機(jī)了。去年Everspin發(fā)表的案例研究server storage accelerator道理與此相近明確相關要求。
 
IBM才發(fā)表的19TB SSD重要意義，也是用幾片Everspin的1Gb STT MRAM當(dāng)成寫(xiě)入緩衝記憶體，道理同樣是預(yù)防斷電時(shí)的資料流失深化涉外。它還有另外的好處體系，一個(gè)以DRAM當(dāng)寫(xiě)入緩衝記憶體的硬碟如果要預(yù)防斷電資料流失，需要加裝超級(jí)電容(supercapacitor)開展試點，提供斷電后的電源讓DRAM中的資料能順利移轉(zhuǎn)到SSD中的NAND攜手共進。但是超級(jí)電容很貴，超級(jí)電容加DRAM的價(jià)格便足以支持MRAM的使用進一步。另外大部分，超級(jí)電容體積很大，無(wú)法裝進(jìn)Intel SSD M.2的規(guī)格，MRAM就沒(méi)這問(wèn)題解決方案。
 
MRAM的製程還在快速進(jìn)展之中的特性，目前實(shí)驗(yàn)看到的是，它可以持續(xù)下降到10nm以下基礎，而且寫(xiě)入電流翻轉(zhuǎn)磁矩的效率還在快速提升提供堅實支撐，這使得提供寫(xiě)入電流的CMOS－目前微縮尺寸的瓶頸－得以有效微縮。做MRAM的人總想瓜分DRAM市場(chǎng)高產，目前在嵌入式的應(yīng)用看來(lái)時(shí)機(jī)到了信息化技術。至于獨(dú)立記憶體呢？只能說(shuō)再假以時(shí)日吧良好！

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