半導(dǎo)體存儲器經(jīng)過40多年來的發(fā)展，根據(jù)Yole Developpement市場分析公司的數(shù)據(jù)應用擴展，PCM將會迎來迅速的發(fā)展的大時(shí)機(jī)，并預(yù)計(jì)會實(shí)現(xiàn)約50億美元的銷售額在2023年增多。
 
PCM的市場份額被預(yù)估會從2018年的2.73億美元增長到2023的61億美元活動上，并將占83
%來自每年獨(dú)立的新興非易失性存儲器市場份額，大概為86%的復(fù)合年增長率進一步推進。
 
YOLE預(yù)計(jì)到2023年導向作用，ReRAM會上升到銷售額排名第二的位置，即使目前ReRAM并未大面積被使用的情況下應用的選擇。
 
新興的非易失性存儲器市場受到來自獨(dú)立的和嵌入式應(yīng)用技術(shù)市場的沖擊十大行動。資料來源：Yole Developpement。
 
在SCM及基于PCM的3D XPoint存儲器的Intel和Micron的推動大幅增加，獨(dú)立非易失性存儲器日漸增長特性。同時(shí)存儲器廠家海力士也同時(shí)在研究類似于英特爾和美光的方法。
 
根據(jù)YOLE的分析師Simone Bertolazzi的聲明中等特點，可以得知即使圍繞嵌入式應(yīng)用的新興NVM正在蓬勃發(fā)展建言直達，也不阻礙獨(dú)立存儲器將會主導(dǎo)市場，而獨(dú)立存儲器的主導(dǎo)是由SCM企業(yè)和客戶端應(yīng)用驅(qū)動的將進一步。
 
DRAM在未來五年仍然會繼續(xù)不斷的擴(kuò)展充分發揮，但發(fā)展速度應(yīng)該比之前的慢些，也由于3D集成技術(shù)的發(fā)展成就，NAND閃存的容量也將會不斷的增加重要方式。由于特性及市場的不同，新興的NVM不會取代獨(dú)立的DRAM跟NAND FLASH,應(yīng)該會在組合存儲器中對其進(jìn)行補(bǔ)充系統。
 
ReRAM有可能成為第一個(gè)與3D XPoint相競爭的獨(dú)立技術(shù)非常重要，但是由于技術(shù)限制，ReRAM的發(fā)展還是比較緩慢的空間廣闊，目前Crossbar Inc.和Nantero Inc是支持獨(dú)立的ReRAM的技術(shù)應(yīng)用的營造一處。
 
新興的非易失性存儲器因應(yīng)用而發(fā)展。
 
ReRAM有可能與SCM再次作為競爭者在2020年之后知識和技能，在高速性及高耐久性上取得顯著成效，STT-MRAM也認(rèn)為很有應(yīng)用前景但限于制作工藝的復(fù)雜性未能大面積被應(yīng)用。
 
目前來看STT-MRAM正在為微控制器增添動力相對于新興非易失性存儲器的嵌入式市場實現，所有主流的代工廠都參與了STT-MRAM的領(lǐng)域加速研發(fā)STT-MRAM不容忽視。
 
與獨(dú)立市場相比提高，嵌入式新興NVM從2017市場份額來看只占了3%相對性市場規(guī)模還是比較小的，所有頂級代工廠都在準(zhǔn)備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品進入當下。
 
Yole預(yù)測紮實，到2023年，STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場份額的四分之三左右保持競爭優勢，其余大部分將用于ReRAM技術(shù)進行培訓。
本文關(guān)鍵詞：MRAM

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