高速SRAM芯片一般是指異步快速SRAM芯片等地，讀取速度在8/10/12ns之間，大多數(shù)用于工業(yè)級(jí)應(yīng)用，高速設(shè)備應(yīng)用積極影響，服務(wù)器重要平臺，金融系統(tǒng)等行業(yè)創新的技術，
對(duì)于高速SRAM芯片要如何選型意向？一般考慮以下幾個(gè)：

1.高速SRAM存儲(chǔ)器容量
容量是衡量 SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力大小.
1.1常用的單位有：bit(位),Byte(字節(jié)). 兩者的換算關(guān)系：1Byte=8bit
1.2常用的容量數(shù)值簡(jiǎn)寫有：K（Kilo）,M(Mega),G(Giga).
它們間的換算:1M=1024K,1G=1024M
容量常用的一般是1Mb應用擴展、 2Mb生動、4Mb新型儲能、8Mb⌒缕芳?？丛O(shè)計(jì)要求範圍，

2.電壓(Voltage)
常用的電壓有 1.8V,3.3V,5.0V,有的品牌支持寬電壓范圍如:1.8~3.3V,3.3~5.0V

3.速度（Speed）
這個(gè)參數(shù)是衡量 SRAM 產(chǎn)品的反應(yīng)速度快慢，常用 ns(納秒)及 MHz(兆赫茲)作為單位好宣講。
納秒與兆赫茲換算關(guān)系是：ns=1/MHz*1000,MHz=1/ns*1000

4. 位寬（Data Bus Width）
此參數(shù)表示 SRAM 在瞬間最大的數(shù)據(jù)吞吐量註入新的動力。數(shù)值越大，數(shù)據(jù)吞吐量就大，單位是 bit（位）雙重提升。SRAM 一般分為 8 位寬,和 16 位寬。

5. 待機(jī)電流（Standby Current）
表示 SRAM 在待機(jī)時(shí)的電流值事關全面。針對(duì)一些客人需要加鋰電池為 SRAM 供電的應(yīng)用表現明顯更佳，就比較關(guān)注此參數(shù)，此參數(shù)越小越好技術節能。數(shù)值越小 SRAM 功耗就越低指導，鋰電池的供電時(shí)間就會(huì)越長(zhǎng)。常用單位是 uA(微安)飛躍。

 6. 封裝（Package）
表示 SRAM 產(chǎn)品所采用的封裝外形及尺寸規(guī)格更高效。SRAM 常用的封裝有 SOP，TSOP 和 BGA

 7.Pin 腳定義（Pin Configuration）
用于確定 SRAM 產(chǎn)品每個(gè) Pin 腳的功能重要部署。

目前市面上在做高速SRAM芯片的具體而言，有像ISSI ，CYPRESS智慧與合力，瑞薩喜愛，JSC，NETSOL開放要求，VTI等品牌向好態勢，我司代理的VTI科技公司是一家專注于RAM領(lǐng)域的無(wú)晶圓科技共平臺建設，主要產(chǎn)品為高速SRAM芯片，低功耗SRAM芯等貢獻力量，可以PIN to PIN兼容性替換ISSI 使用，CYPRESS，瑞薩覆蓋範圍。

型號(hào)參考如下：http://mifengguhua.com/list-401-1.html

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