英特爾曾經(jīng)信誓旦旦地說(shuō)到，摩爾定律已死形式。三星用實(shí)際行動(dòng)證明大幅增加，摩爾定律對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)仍然有效具有重要意義。
      近年來(lái)拓展基地，關(guān)于摩爾定律的死亡傳言被越傳越大。近日集成技術，三星電子發(fā)布業(yè)界第一款10納米8Gb DDR4 DRAM芯片顆粒。同時(shí)韓國(guó)廠商宣布流程，他們已經(jīng)領(lǐng)先于SK海力士和美光實(shí)現(xiàn)10nm DDR4芯片的量產(chǎn)。

                                   

      在新聞發(fā)布會(huì)上三星表示勃勃生機，新的DRAM支持3200Mbps數(shù)據(jù)傳輸頻率助力各業，相對(duì)20nm工藝的DDR4 DRAM顆粒效能提升約20%，同時(shí)提供有力支撐，其功耗降低10%至20%應用，高效低耗的特性適用于新一代HPC（ 高效能運(yùn)算 ） 、主流電腦品率、大型企業(yè)網(wǎng)絡(luò)以及服務(wù)器市場(chǎng)相貫通。
      三星在上一年發(fā)布了用于固態(tài)硬盤和其他存儲(chǔ)芯片的10nm NAND閃存，但將DRAM減小到如此小的尺寸會(huì)更加困難積極影響。這是因?yàn)閮?nèi)存的不穩(wěn)定性需要電容器跟隨著晶體管存在自動化方案，也就是所有這些元件都需要進(jìn)行縮小。此外越來越重要，三星還必須“在幾十納米寬的晶體管上堆疊極窄的圓柱形電容器以存儲(chǔ)大電荷線上線下，從而創(chuàng)造超過(guò)80億個(gè)單元”。這樣一來(lái)醒悟，制作難度又被提高了好幾倍數據顯示。
      三星聲稱，他們利用現(xiàn)有氟化氬浸沒(méi)式光刻技術(shù)所以無(wú)需額外使用極紫外設(shè)備也逐步提升，就可以解決DRAM擴(kuò)展的問(wèn)題記得牢。有專業(yè)分析師認(rèn)為，三星改進(jìn)了自己的四重圖形技術(shù)不可缺少，用光刻曝光來(lái)增加芯片功能的分辨率蓬勃發展，該技術(shù)廣泛的應(yīng)用于NAND閃存的制作上。并指出提高鍛煉，摩爾定律的延續(xù)意味著我們將繼續(xù)得到更低價(jià)的DRAM發展邏輯。
      三星將于今年研發(fā)生產(chǎn)SIMM模塊，容量從4GB的筆記本電腦到最高128GB企業(yè)級(jí)服務(wù)器不等有所提升，同時(shí)延長(zhǎng)其20納米DRAM陣容與新的DRAM產(chǎn)品組合貫穿全年聽得進。在未來(lái)三星將推出10nm高密度超一流的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，以解決超高清智能手機(jī)市場(chǎng)先進水平。

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