要保證正確地讀/寫，必須注意CPU時序與存儲器讀/寫周期的配合模式。一般SRAM存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫周期的時序圖參與能力。

 

Intel 2114芯片的讀合理需求、寫周期時序如圖所示。

 

二充分發揮、 讀周期

 

 

 

讀操作時高質量，必須保證片選信號為低電平，讀寫信號為高電平選擇適用。

tRC （讀周期時間）：指對芯片連續(xù)兩次讀操作之間的最小間隔時間機構。

tA (讀出時間)：從給出有效地址后，經(jīng)過譯碼電路交流、驅(qū)動電路的延遲，到讀出所選單元內(nèi)容提供堅實支撐，并經(jīng)I/O電路延遲還不大，直到數(shù)據(jù)在外部數(shù)據(jù)總線上穩(wěn)定出現(xiàn)所需的時間。顯然信息化技術，讀出時間小于讀周期時間發揮作用。

tCO (片選到數(shù)據(jù)輸出穩(wěn)定的時間)：數(shù)據(jù)能否送到外部數(shù)據(jù)總線上，不僅取決于地址逐步顯現，還取決于片選信號銘記囑托。因此，tCO是從有效到數(shù)據(jù)穩(wěn)定出現(xiàn)在外部數(shù)據(jù)總線上的時間快速增長。

tCX（片選到數(shù)據(jù)輸出有效時間）：從片選有效到數(shù)據(jù)開始出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上的間隔時間開放以來。

tOTD：片選無效后數(shù)據(jù)還需在數(shù)據(jù)總線上保持的時間。

tOHA：地址失效后高質量，數(shù)據(jù)線上的有效數(shù)據(jù)維持時間提供了有力支撐，以保證所讀數(shù)據(jù)可靠。

 

三前景、寫周期

執(zhí)行寫操作時進一步意見，為低電平，讀寫信號為低電平。

tW（寫入時間）：為保證數(shù)據(jù)可靠地寫入生產能力，與同時有效的時間必須大于或等于tW標準。

tAW（滯后時間）：地址有效后，必須經(jīng)過tAW時間堅持好，WE/信號才能有效（低）即將展開，否則可能產(chǎn)生寫出錯。

tWR（寫恢復時間）：WE/無效后問題分析，經(jīng)tWR時間后地址才能改變培養，否則也可能錯誤地寫入。

tDW：寫入數(shù)據(jù)必須在寫無效之前tDW時間就送到數(shù)據(jù)總線上更加完善。

tDH：WE/無效后形式，數(shù)據(jù)還要保持的時間。此刻地址線仍有效支撐作用，tWR>tDH日漸深入，以保證數(shù)據(jù)可靠寫入。

tWC（寫周期時間）：表示連續(xù)兩次寫操作之間的最小時間間隔同時。tWC = tAW + tW + tWR互動式宣講。

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