Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串行SRAM和NVSRAM設(shè)備）提供了一種輕松添加外部RAM的方式，且具有以下特性功能
 
特性
低功耗CMOS技術(shù)：4μA最大待機(jī)電流
 
標(biāo)準(zhǔn)4引腳SPI接口：芯片選擇狀態、數(shù)據(jù)輸入先進技術、數(shù)據(jù)輸出和時鐘
 
無限寫入存儲器助力各業、零寫入時間
 
提供備用電池（512Kb攜手共進、1Mb）
 
32字節(jié)頁面
 
高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持連日來，高達(dá)80Mb/s
 
工業(yè)溫度范圍：-40°C至+85°C
 
小型8引線SOIC技術發展、TSSOP和PDIP封裝
 
Microchip的串行SRAM系列提供了一種幾乎能在任何應(yīng)用上添加外置RAM的方法相關性，這種方法成本相對低廉擴大公共數據、操作簡單深度。相比傳統(tǒng)并行SRAM，這些8引腳串行器件的功耗更低核心技術體系，所用I/O連接數(shù)量更少與時俱進。利用這些器件，設(shè)計人員可以使用更小的微控制器初步建立，而無需僅僅為了獲得更大的板載RAM而改用更大的器件綜合運用。零寫入周期時間使這些器件非常適合于將圖形、數(shù)據(jù)緩沖的方法、數(shù)據(jù)記錄實事求是、顯示、數(shù)學(xué)落到實處、音頻服務水平、視頻和其它數(shù)據(jù)密集型功能卸載至獨立SRAM。與標(biāo)準(zhǔn)SPI相比技術創新，SDI和SQI允許使用2倍和4倍數(shù)據(jù)速率處理方法。Microchip的SPI兼容型串行SRAM器件有64、256持續向好、512和1024Kb四種容量供用戶選擇習慣。這些器件以低功耗實現(xiàn)高速性能，非常適合需要更大RAM的嵌入式應(yīng)用進展情況。
 
此外的積極性，這些512Kb和1Mb器件還具有Vbat引腳用于電池備份，因此當(dāng)外部電池或超級電容器連接到該引腳時至關重要，使器件具有非易失性不久前。這些串行NVSRAM器件具備無限使用壽命和瞬時寫功能用上了，對于諸如量表、黑盒和數(shù)據(jù)記錄器之類應(yīng)用特別有用能力建設。

Microchip串行SRAM系列如下表

Density	Part number	Voltage	Speed(MHz)	Temp.-Range	PKG
1Mb	23A1024	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
1Mb	23LC1024	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
1Mbit	23LCV1024	2.5 - 5.5V	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
512Kb	23A512	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
512Kb	23LC512	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
512Kbit	23LCV512	2.5 - 5.5V	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
256Kb	23A256	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
256Kb	23K256	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb	23A640	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb	23K640	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP

 
 本文關(guān)鍵詞：串行SRAM

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