SRAM和SDRAM的區(qū)別
2017-02-16 14:19:44
SRAM：
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路高質量，每隔一段時(shí)間，就要對(duì)DRAM刷新充電一次相關，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失資料，因此SRAM的性能較高製高點項目。但是SRAM也有缺點(diǎn)推進一步，即它的集成度較低經過，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積簡單化，但是SRAM卻需要很大的體積，所以SRAM在主板上存儲(chǔ)器需要占用一部分面積明確了方向。
SRAM雖然速度較快系統性，不需要刷新的動(dòng)作，但是也有缺點(diǎn)單產提升，就是價(jià)格高傳遞，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存趧泳?，F(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下：
●優(yōu)點(diǎn)開展攻關合作，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路良好，可提高整體的工作效率。
●缺點(diǎn)銘記囑托，集成度低引領，功耗較大，相同的容量體積較大示範，而且價(jià)格較高應用前景，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。
SDRAM：
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器運行好，同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘首次，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為標(biāo)準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失部署安排；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)搖籃，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。目前的168線64bit帶寬內(nèi)存基本上都采用SDRAM芯片推廣開來，工作電壓3.3V電壓推動，存取速度高達(dá)7.5ns，而EDO內(nèi)存最快為15ns資源配置。并將RAM與CPU以相同時(shí)鐘頻率控制信息，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時(shí)間,所以其傳輸速率比EDO DRAM更快大力發展。
SRAM與SDRAM的比較：
SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的豐富內涵；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會(huì)泄漏產能提升，需要定時(shí)給與補(bǔ)充適應性，所以動(dòng)態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動(dòng)態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高通過活化、功耗低面向，從而成本也低支撐作用，適于作大容量存儲(chǔ)器。所以主內(nèi)存通常采用SDRAM建設項目，而高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）則使用SRAM最為突出，在存取速度上，SRAM>SDRAM相結合。另外高效化，內(nèi)存還應(yīng)用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中不折不扣，用于充當(dāng)設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)支撐能力。
