這一年來(lái)閃存非常重要、內(nèi)存市場(chǎng)遇到了好機(jī)遇，中國(guó)廠商的大量需求使得存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)從降價(jià)變成了缺貨漲價(jià)取得了一定進展，直至今年第一季度都會(huì)持續(xù)上漲生產效率。讓美光有所增加、三星以及SK Hynix等公司也因?yàn)殚W存漲價(jià)而過(guò)上了好日子平臺建設，三星去年第三季度在Note 7上的損失在第四季度就被閃存漲價(jià)填補(bǔ)回來(lái)了高端化。中國(guó)缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個(gè)大障礙開拓創新，幸而紫光集團(tuán)已經(jīng)在籌劃了供給，將在南京優勢與挑戰、武漢、成都三地建設(shè)存儲(chǔ)芯片廠解決方案，總投資達(dá)700億美元趨勢，2018年將量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存。

                                

      繼紫光集團(tuán)收購(gòu)新芯公司之后上高質量，在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地已經(jīng)不是什么新聞了一站式服務，這兩年來(lái)時(shí)常有媒體對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)報(bào)道。Digitimes也報(bào)道稱湖北武漢市的工廠占地面積13公頃攻堅克難，近期已經(jīng)開(kāi)工管理，預(yù)計(jì)2018年正式量產(chǎn)3D NAND閃存。
      不過(guò)武漢只是紫光存儲(chǔ)芯片發(fā)展戰(zhàn)略的其中一部分雙向互動，2017年還有兩個(gè)大計(jì)劃在四川成都效率和安、江蘇南京，投資金額超過(guò)460億美元品牌，早前曾有媒體報(bào)道過(guò)前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光擔(dān)任副總深入開展，他負(fù)責(zé)的就是成都晶圓廠，投資金額超過(guò)1200億人民幣等形式。
      成都技術的開發、南京460億美元加上武漢的240億美元投資，紫光建設(shè)三大存儲(chǔ)芯片基地的投資將超過(guò)700億美元飛躍，人民幣大約5000億元更高效，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國(guó)都在政府顧問(wèn)報(bào)告中指出中國(guó)自主發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將降低美國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力重要部署，甚至影響美國(guó)國(guó)家安全具體而言。
      除了存儲(chǔ)芯片之外，紫光集團(tuán)還在尋求進(jìn)入邏輯IC芯片制造領(lǐng)域智慧與合力，也就是說(shuō)存儲(chǔ)芯片針對(duì)的是美光喜愛、三星、東芝這些公司開放要求，而邏輯芯片制造則是針對(duì)TSMC向好態勢、Intel、三星LSI等公司了記得牢。

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