近期有消息稱美光將會(huì)退出NOR Flash市場(chǎng)性能穩定，擬處理旗下NOR芯片工作，并傳出華邦電和兆易創(chuàng)新可能是收購的買家作用。美光內(nèi)部證實(shí)確實(shí)有這方面的計(jì)劃研學體驗，但并未透露更多的細(xì)節(jié)。華邦電總經(jīng)理詹東義則說還沒聽說此事最為突出，但是會(huì)鄭重地進(jìn)一步研究落實落細。
      隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的不斷擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片需求量不斷增加高效化，2016年DRAM和NAND Flash產(chǎn)品嚴(yán)重缺貨製高點項目，NAND Flash漲價(jià)將近一倍。相比之下範圍和領域，NOR Flash市場(chǎng)需求和價(jià)格顯得門可羅雀有所增加。美光調(diào)整業(yè)務(wù)架構(gòu)也是為了集中精力于DRAM和NAND Flash市場(chǎng)，更有效的利用現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)越來越重要的位置。
    2017年初NAND Flash和DRAM市場(chǎng)供貨緊張未見明顯改善，而且NAND Flash技術(shù)正在加快向3D NAND過渡結構重塑，DRAM制程也要向10nm級(jí)轉(zhuǎn)換，對(duì)技術(shù)應用優勢、量產(chǎn)等的要求不斷提高高質量發展。美光作為第三大DRAM生產(chǎn)商高效節能，也是關(guān)鍵的NAND Flash供應(yīng)商大局，2017年在保證DRAM和3D NAND切換順利的同時(shí)邁出了重要的一步，還將以提升生產(chǎn)效率為目標(biāo)有序推進。
      美光(Micron)合并華亞科后需求，美光的DRAM重要生產(chǎn)基地設(shè)立在臺(tái)灣，內(nèi)部設(shè)定是以三星為目標(biāo)追趕更讓我明白了。美光執(zhí)行長(zhǎng)去年底稱要加大對(duì)臺(tái)灣的投資，目前臺(tái)灣美光員工約6000人探索，將再招集1000人加入臺(tái)灣美光，加快DRAM先進(jìn)制程技術(shù)的發(fā)展管理。
      據(jù)悉，美光臺(tái)中廠和美光桃園廠目前分別生產(chǎn)25nm和20nm制程技術(shù)模樣，臺(tái)中廠會(huì)率先導(dǎo)入美光最先進(jìn)的1xnm制程生產體系，目前已經(jīng)在進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換，2016年很重要、2017年預(yù)計(jì)投入20億美元參與水平，直接由25nm轉(zhuǎn)進(jìn)1xnm制程服務效率，預(yù)計(jì)下半年1xnm投片量可過半。
      NAND Flash方面統籌發展，美光的32層3D NAND為目前國內(nèi)市場(chǎng)各品牌SSD的主要貨源之一，64層3D NAND已于2016年12月送樣生產製造，2017年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)階段。新加坡IMFS Fab10N工廠在2016年初逐步增加32層3D NAND共同，減少16nm MLC比例，2017年逐步轉(zhuǎn)向64層3D NAND生產(chǎn)簡單化。新加坡IMFS Fab10X預(yù)計(jì)在2017年Q1開始試產(chǎn)力度，主要生產(chǎn)64層3D NAND，大連Fab68也預(yù)計(jì)2017年中期轉(zhuǎn)至64層量產(chǎn)系統性。

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