美國ISSI公司總部位于加利福尼亞州米爾皮塔斯良好，在世界九個地區(qū)設有全球辦事處多元化服務體系。 ISSI公司是為以下主要市場設計，開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者：汽車和通信同時，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療說服力。我們的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。該公司還設計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路精準調控。我們以具有成本效益的高品質半導體產(chǎn)品瞄準高增長市場道路，并尋求與客戶建立長期合作關系。即使在生產(chǎn)能力緊張的情況下相互配合，我們?nèi)匀皇谴鎯ζ鳟a(chǎn)品（包括低密度和小批量產(chǎn)品）的長期承諾供應商慢體驗。
 
我們的外包制造模型基于與亞洲和國內(nèi)主要鑄造廠的聯(lián)合技術開發(fā)關系的歷史。我們還將在部分鑄造廠進行戰(zhàn)略股權購買智能化。通過在中國科技實力，韓國和臺灣地區(qū)增加設計團隊，我們擴大了在重要的亞洲市場的影響力建設，目前我們在這些地區(qū)雇用了80多名設計在此基礎上，產(chǎn)品和測試工程師。這些設計團隊是對位于加利福尼亞州圣何塞總部的核心工程和產(chǎn)品管理團隊的補充前來體驗。
 
近年來對精密半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車自主研發，通信，數(shù)字消費更加廣闊，工業(yè)和醫(yī)療市場損耗。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)非常完善。

   
跨各種終端市場對高性能存儲設備的需求不斷增長性能穩定，這為高性能存儲集成電路（如ISSI公司）的集中供應商提供了巨大的機會。我們利用這一機會的戰(zhàn)略的關鍵要素是：
 
與領先的鑄造廠建立協(xié)作關系支撐作用。我們與主要晶圓代工廠以高度協(xié)作的方式合作研學體驗，以開發(fā)領先的工藝技術，并在行業(yè)升級周期中更安全地獲取晶圓產(chǎn)能最為突出。
 
致力于成為我們產(chǎn)品的長期供應商落實落細。我們的無晶圓廠采購模式使我們能夠適應小批量產(chǎn)品運行，并為滿足客戶需求提供長期供應發展目標奮鬥。繼續(xù)開發(fā)和提供高性能產(chǎn)品技術先進。我們與客戶一起確定下一代產(chǎn)品的內(nèi)存要求，然后相應地集中精力進行開發(fā)延伸。
 
擴大與客戶緊密聯(lián)系的亞洲開發(fā)團隊認為。我們打算通過擴大在臺灣，韓國和中國大陸的工程開發(fā)團隊新趨勢，繼續(xù)利用我們在亞洲的廣泛經(jīng)驗反應能力。
 
進一步滲透行業(yè)領先客戶。我們利用生產(chǎn)高質量存儲產(chǎn)品的專業(yè)知識學習，通過行業(yè)領先的客戶滲透到我們的目標市場結構重塑，我們相信這些客戶定義了未來內(nèi)存需求的方向聽得懂。
 
為主要市場開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品。為了增加產(chǎn)品的多樣化并提供與我們的SRAM高質量發展，DRAM和閃存專業(yè)知識相輔相成的產(chǎn)品全方位，我們正在開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品以供我們的主要市場使用。

ISSI代理英尚微電子SRAM芯片型號

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)	產(chǎn)品類型
16Mb	1Mx16/2Mx8	IS62WV102416DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	2Mx8	IS62WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	2Mx8	IS62WV20488EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62C10248AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62C51216AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62/65WV51216EALL/EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EALL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62/65WV10248EALL/EBLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片

 
 
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