據了解更為一致，三星電子于2017~2018年至關重要，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元（約43.5億美元）發揮效力，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮明顯。
                              

      Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出安全鏈，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄創新為先。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資真正做到，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
      三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的20%創新延展，且現有設備的產量已達理論最大值強化意識。設備業(yè)者認為，三星西安廠啟動3年后的現在基本情況，以投入晶圓為基準計算現場，其3D NAND Flash晶圓月產能為12萬片。
專家推測力量，西安廠與韓國華城廠L12我有所應、L16并列三星NAND Flash三大生產據點，平澤廠將于2017年第1季正式稼動提升行動，加上西安廠第二期稼動后能力建設，三星勢必需調整其產能分配。半導體業(yè)界相關人士認為研究進展，三星3D NAND Flash未來生產很可能以大陸西安廠及韓國平澤廠為主創新內容，并將其目前最大NAND Flash工廠L12部分產能轉為生產系統(tǒng)LSI或DRAM等產品，逐漸降低NAND Flash產量廣泛關註。

                               

      DRAMeXchange分析三星產能移轉狀況善於監督，指出L12于2016年第4季晶圓月均產能達19萬片高峰后，2017年第1季預估為17萬片就能壓製，第3季以后將減至12萬片更合理；三星NAND Flash生產基地將階段性轉移至平澤廠及西安廠。
     專家指出更優美，存儲芯片市場2017年起進入前所未有的超級周期（Super Cycle）是促使三星增加設備投資的主因各方面。存儲器市場一般以3~4年為周期防控，交替出現熱況與萎縮，超級周期指出現長期熱絡的狀況適應性。韓國存儲器業(yè)者表示堅實基礎，過去存儲器應用主要限于電腦、智能手機等裝置重要作用，可直接掌握市場需求變化等地，隨近來包括服務器、汽車尤為突出、大數據規定、物聯(lián)網與人工智能（AI）等領域市場擴大，對NAND Flash需求也進一步提升空間載體。
    預估高質量，2017年存儲器市場規(guī)模將達853億美元，較2016年773億美元成長10.3%經驗分享，至2021年可望擴大至1099億美元的規(guī)模解決方案，年均成長率將達7.3%。

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