據(jù)悉深入，SK海力士將在錫啟動(dòng)第二工廠建設(shè)深入交流，二期投資36億美元大部分，估計(jì)未來應(yīng)該會(huì)做Flash；三星電子于2017～2018年狀態，將對(duì)西安3D NAND Flash廠加大投資力度服務體系，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元（約43．5億美元），以迎接存儲(chǔ)芯片場(chǎng)史上最大需求浪潮與時俱進。   
      業(yè)內(nèi)人士都能看出來這是在針對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)性能，目的是抑制紫光長江存儲(chǔ)的建設(shè)發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大國際頂級(jí)巨頭綜合運用，同時(shí)針對(duì)紫光組建，必定有備而來。實(shí)際上巨頭巨額投入效果較好，資源重要的意義、人才、客戶的爭搶必然走入死胡同等多個領域，低價(jià)競(jìng)爭必然不可取再獲，不知道紫光如何應(yīng)對(duì)？
      紫光現(xiàn)在手握大量資金應用擴展，卻一直沒有遇到好的項(xiàng)目體驗區，去年底強(qiáng)勢(shì)并購中芯，中芯董事長周子學(xué)以紫光旗下 IC 設(shè)計(jì)公司展訊活動上、紫光國芯為由有望，指出其將與中芯、高通等客戶產(chǎn)生利益沖突導向作用，力保中芯的獨(dú)立性方案，才止住紫光并中芯的計(jì)劃。
因?yàn)镈RAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜十大行動，韓國兩大存儲(chǔ)器廠三星與SK海力士左右，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜綜合措施。
       存儲(chǔ)器市況從去年一路走高可靠保障，2017年供給有限，而市場(chǎng)需求增加的狀況下設計標準，存儲(chǔ)器今年有望延續(xù)漲勢(shì)開展。近期DRAM漲勢(shì)主要由三星主導(dǎo)，且漲勢(shì)仍未平息發揮重要帶動作用，首季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM漲幅逾三成意向，服務(wù)器用DRAM漲幅在25~30%意料之外、移動(dòng)DRAM約15~20%。三大應(yīng)用領(lǐng)域同飆開展面對面，讓主要供應(yīng)商SK海力士系統、三星、美光去年?duì)I運(yùn)翻身連日來，股價(jià)也大爆發(fā)快速融入，尤其美光股價(jià)大漲1.3倍，格外受到矚目系統。
      紫光武漢廠動(dòng)工的節(jié)點(diǎn)增強，三星、海力士同時(shí)加碼存儲(chǔ)器交流等。爭搶未來市場(chǎng)的動(dòng)機(jī)明顯更加廣闊，武漢新芯（長江存儲(chǔ)）未來競(jìng)爭將會(huì)難上加難，技術(shù)提高、市場(chǎng)可以使用、人才可謂沒可能與兩大巨頭抗衡，依靠資金換未來的方法也不知道能否成功紮實。