星憶存儲(chǔ)為電子工業(yè)提供新一代的高性能、高密度初步建立、低功耗促進進步、低成本的存儲(chǔ)器產(chǎn)品新技術。專(zhuān)注于XRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)即將展開，提供低延時(shí)流程，低功耗和免刷新動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器產(chǎn)品致力于通過(guò)創(chuàng)新型存儲(chǔ)技術(shù)商業(yè)化重要平臺、產(chǎn)業(yè)化的過(guò)程更加廣闊，帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作，從而推動(dòng)國(guó)家存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)前端產(chǎn)業(yè)變革和更進(jìn)一步的發(fā)展探討。接下來(lái)星憶代理商介紹在STM32F4開(kāi)發(fā)板STM32F4驅(qū)動(dòng)外部SRAM芯片XM8A51216不負眾望。
 
STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM，對(duì)一般應(yīng)用來(lái)說(shuō)調解製度，已經(jīng)足夠了精準調控，不過(guò)在一些對(duì)內(nèi)存要求高的場(chǎng)合，STM32F4自帶的這些內(nèi)存就不夠用了應用的因素之一。比如跑算法或者跑GUI等解決，就可能不太夠用，所以STM32F4開(kāi)發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片敢於監督，XM8A51216幅度，滿(mǎn)足大內(nèi)存使用的需求。我們將使用STM32F4來(lái)驅(qū)動(dòng)XM8A51216重要的作用，實(shí)現(xiàn)對(duì)XM8A51216的訪(fǎng)問(wèn)控制貢獻，。
 
XM8A51216簡(jiǎn)介
XM8A51216是星憶存儲(chǔ)科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片統籌。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)：
?高速最深厚的底氣。具有最高訪(fǎng)問(wèn)速度10/12ns。
?低功耗振奮起來。
?TTL電平兼容品質。
?全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路等地。
?三態(tài)輸出。
?字節(jié)控制功能尤為突出。支持高/低字節(jié)控制規定。
XM8A51216的功能框圖如圖1所示：

 
圖中A0~18為地址線(xiàn)，總共19根地址線(xiàn)（即2^19=512K空間載體，1K=1024）高質量；DQ0~15為數(shù)據(jù)線(xiàn)，總共16根數(shù)據(jù)線(xiàn)保護好。CEn是芯片使能信號(hào)組建，低電平有效；OEn是輸出使能信號(hào)特點，低電平有效深刻變革；WEn是寫(xiě)使能信號(hào)，低電平有效和諧共生；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號(hào)質生產力；STM32F4開(kāi)發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片，該芯片直接接在STM32F4的FSMC上技術交流，XM8A51216原理圖如圖2所示：


從原理圖可以看出先進的解決方案，XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不過(guò)順序錯(cuò)亂了）
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的連接關(guān)系，XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18]創造更多，不過(guò)這并不影響我們正常使用外部SRAM宣講活動，因?yàn)榈刂肪哂形ㄒ恍浴Ｋ灾灰刂肪€(xiàn)不和數(shù)據(jù)線(xiàn)混淆工藝技術，就可以正常使用外部SRAM效率。這樣設(shè)計(jì)的好處，就是可以方便我們的PCB布線(xiàn)近年來。
 
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM    

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