S6R8016W（C）1A和S6R8008W（C）1A是一個8,388,608位512Kx16和1Mx8位異步SRAM，以512K（1M）字乘16（8）位組織結論。S6R8016W（C）1A（S6R8008W（C）1A）使用16（8）條公共輸入和輸出線和諧共生，并具有一個輸出使能引腳，其輸出速度比讀取周期的地址訪問時間快適應性強。S6R8016W（C）1A允許通過數(shù)據(jù)字節(jié)控制（UB技術交流，LB）訪問低字節(jié)和高字節(jié)。該器件采用先進的CMOS工藝拓展，基于6-TR的單元技術(shù)制造創造更多，并為高速電路技術(shù)而設(shè)計。它特別適合用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用不斷進步。
 
特征
•快速訪問時間8工藝技術、10、12更加廣闊、15ns（最大值）
•CMOS低功耗
待機（TTL）：25mA（最大）
（CMOS）：15mA（最大）
工作：80mA（最大8ns）
70mA（最大10ns）
•廣泛的電源
-S6R80xxW1A：1.65V?3.6V電源
•5.0±0.5V單電源
-S6R80xxC1A：5.0±0.5V電源
•TTL兼容的輸入和輸出
•完全靜態(tài)操作不同需求，無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•數(shù)據(jù)字節(jié)控制（x16模式）
LB：I/O0?I/O7發展，UB：I/O8?I/O15
•標(biāo)準(zhǔn)的44TSOP2和48FBGA封裝引腳配置保持穩定。
•在商業(yè)和工業(yè)溫度范圍內(nèi)運行。
     
netsol的前身為韓國Samsung SRAM事業(yè)部面向，分立出來后致力于SRAM芯片的研發(fā)與創(chuàng)新支撐作用，在SRAM存儲器領(lǐng)域擁有比較完整的產(chǎn)品線：Quadruple/DDR SRAM ， Synchronous SRAM（同步）建設項目， Asynchronous Fast SRAM（異步SRAM）最為突出。 現(xiàn)在使用Netsol芯片產(chǎn)品的都為一些電子工業(yè)巨頭所使用，如3Com和CISCO相結合，ZTE及HUAWEI等高效化。我們的同步高速SRAM產(chǎn)品可與ISSI，Cypress和Lyontek之系列兼容替代為產業發展，比如Netsol的S7R161882M型號的產(chǎn)品可替代Cypress的CY7C1312KV18型號的SRAM產(chǎn)品範圍和領域，且在某些參數(shù)性能上有一定的優(yōu)勢。

本文關(guān)鍵詞： NOR Flash

上一篇文章： ?NOR Flash市場增量的幾大應(yīng)用領(lǐng)域
 

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