新能源汽車的核心技術智慧與合力，是大家所熟知的動力電池，電池管理系統(tǒng)和整車控制單元表示。而高性能存儲器FRAM將是提高這些核心技術的關鍵元件技術交流。無論是BMS選擇適用，還是VCU更合理，這些系統(tǒng)都需要實時和連續(xù)地對當前狀態(tài)信息進行監(jiān)控更加廣闊，記錄和分析處理振奮起來。因此需要提高存儲器性能和耐久性設計結構。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求更適合。

 
FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應用
高燒寫耐久性，高速寫入操作：
•系統(tǒng)每0.1或1秒溝通協調，實時和連續(xù)地存儲重要數(shù)據(jù)（故障信息,SOH和SOC等）要素配置改革。
•系統(tǒng)需要監(jiān)控短期（最后幾個充電周期，60次/秒）和長期（整個電池壽命）電池性能保障性。

 
FRAM在整車控制單元VCU中的應用
高燒寫耐久性帶動產業發展，高速寫入操作：
系統(tǒng)需要以每秒一次的頻率去實時記錄汽車行駛的當前狀態(tài)和發(fā)生故障時的變速器擋位，加速狀況十分落實，剎車和輸出扭矩等信息倍增效應。

 
FRAM在T(Telematics）-BOX中的應用
高讀寫耐久性，高速寫入操作：
•系統(tǒng)需要1次/0.2秒的速度製造業，連續(xù)記錄CAN通信數(shù)據(jù)優化服務策略。
•系統(tǒng)需要1次/秒的速度，連續(xù)地記錄位置數(shù)據(jù)發展基礎。
•系統(tǒng)要求記錄在發(fā)生事故前的10秒內兩個角度入手，每秒的行駛數(shù)據(jù)（剎車，發(fā)動機轉速等）同期。
上述數(shù)據(jù)1次/10秒的頻率轉送到從FRAM轉送到Flash里生產效率。
   
 
富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質效果，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領域開始風生水起使用，在各種應用領域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM密度增加。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關技術支持有效性。

 
本文關鍵詞： FRAM  

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