隨著技術(shù)的不斷進步不同需求，消費類不容忽視、便攜式醫(yī)療設備的功能越來越強大結構，越來越完善發揮作用，極大地提高了準確性平臺建設、可靠性高端化、連接性和易用性開拓創新，同時保證了用戶健康信息的安全性供給，價格也合理優勢與挑戰。
 
這些全新的高級功能需要更強的處理能力、安全性和連接性解決方案。日益增長的復雜性也要求固件/軟件代碼擴展趨勢，反過來不僅增加了代碼有力扭轉，而且還提升了數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的存儲器需求。這些增強功能一站式服務，增加了系統(tǒng)的功耗預算廣度和深度，矛盾的是，緊湊外型的便攜式醫(yī)療設備要求超長電池壽命引領作用，需要降低功耗加強宣傳。
 
本篇文章富士通FRAM代理商主要介紹的在便攜式醫(yī)療設備應用中鐵電存儲器具有幾大關鍵優(yōu)勢及FRAM的效率與可靠性
 
在便攜式醫(yī)療設備應用中，與EEPROM和閃存等其他非易失性存儲器技術(shù)相比用的舒心，鐵電存儲器（FRAM）具有以下幾大關鍵優(yōu)勢：
 
1技術發展、高寫入周期耐久度
EEPROM和閃存寫入周期耐久度有限，而一些醫(yī)療設備需要可靠地存儲隨時更新的數(shù)據(jù)日志深入開展。閃存的耐久度水平為1E+5更為一致，EEPROM的耐久度水平是1E+6。相比之下技術的開發，F(xiàn)RAM的寫入周期耐久度是1E+14（100萬億）研究與應用，高出EEPROM和閃存若干個數(shù)量級。這樣的耐久度使設備能夠記錄更多的數(shù)據(jù)更高效，無需執(zhí)行復雜的損耗均衡算法積極影響，無需提供過多的額外容量。
 
2緊密協作、低功耗運行
與閃存或EEPROM等存儲器件相比越來越重要，FRAM的工作能耗低幾個數(shù)量級。將它與即時非易失性相結(jié)合發揮重要作用，有助于延長電池使用壽命醒悟。利用低功耗待機模式，設計人員能夠進一步優(yōu)化功耗高質量。
 
3也逐步提升、即時非易失性
即時非易失性是FRAM技術(shù)的另一大重要特征。EEPROM和閃存需要額外的頁面編程/頁面寫入周期註入了新的力量，增加了系統(tǒng)寫入操作的時間重要的作用。FRAM的即時非易失性允許便攜式和植入式醫(yī)療系統(tǒng)以及其它的電池供電系統(tǒng)完全關閉電源，或更快地將系統(tǒng)切換至低功耗待機模式去創新。工作時間的縮短和工作電流的減小足夠的實力，可顯著延長系統(tǒng)的電池使用壽命。在有精確時序要求的應用中結構，它們還有助于增強數(shù)據(jù)的可靠性更適合，因為它不懼怕電源故障。
 
4溝通協調、可靠性提高
可靠性對于醫(yī)療設備至關重要要素配置改革。FRAM單元對包括X射線和伽瑪輻射在內(nèi)的各種輻射具有高度的耐受性深度。FRAM還對磁場免疫，從而確保記錄的數(shù)據(jù)安全可靠核心技術體系。
 
5、緊湊的外型
FRAM可以采用節(jié)省空間的封裝持續發展。例如富士通FRAM密度高達8Mb必然趨勢，采用行業(yè)標準8引腳SOIC封裝和微型8引腳GQFN封裝，吞吐量最高可達50MHz SPI I/O和108MHz QSPI（Quad-SPI）I/O擴大。
 
高輻射耐受性多樣性、數(shù)據(jù)可靠性、低功耗和緊湊的外型這些關鍵特性新格局，使得FRAM成為便攜式和植入式醫(yī)療設備的理想選擇明顯。

本文關鍵詞： FRAM  

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