存儲(chǔ)設(shè)備（主要指存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品）通常分為兩種類型規定。一種是“易失性存儲(chǔ)器”——數(shù)據(jù)在斷電時(shí)消失生產能力，如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲(chǔ)器”——數(shù)據(jù)在斷電時(shí)不會(huì)消失意見征詢，這意味著數(shù)據(jù)一旦被寫(xiě)入集中展示，只要不進(jìn)行擦除或重寫(xiě)實力增強，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲(chǔ)器探索創新。
 
經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的長(zhǎng)期廣泛驗(yàn)證以及技術(shù)的不斷突破信息化，富士通FRAM產(chǎn)品已成功應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域生動，醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標(biāo)簽等醫(yī)療領(lǐng)域新型儲能、胎壓監(jiān)測(cè)及新能源汽車(chē)電池管理系統(tǒng)等汽車(chē)領(lǐng)域等等，涉及的應(yīng)用超過(guò)200種新品技，幾乎覆蓋所有主要領(lǐng)域領域！
   
當(dāng)前的富士通FRAM主要具備三大優(yōu)勢(shì)：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗好宣講，這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的註入新的動力。比如FRAM寫(xiě)入次數(shù)壽命高達(dá)10萬(wàn)億次，而EEPROM僅有百萬(wàn)次(10^6)。富士通FRAM寫(xiě)入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成雙重提升，速度約為EEPROM的1/30,000。寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ事關全面，約為EEPROM的1/400表現明顯更佳，在電池供電應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢(shì)狀態。
   
相比EEPROM或SRAM
 
FRAM方案可以輕松解決以下問(wèn)題：
1）需要更頻繁地記錄數(shù)據(jù)，但受限于內(nèi)存規(guī)格
2）在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)需要保護(hù)數(shù)據(jù)指導，以防止突然停電
3）需要采用無(wú)電池解決方案

本文關(guān)鍵詞： FRAM  

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